厂商将协作开发和制造32纳米半导体产品
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上述公司签署的联合开发协议包括32纳米CMOS（互补性氧化金属半导体）工艺技术及支持该技术的工艺设计套件（PDK）。在之前90纳米、65纳米和45纳米工艺联合开发和制造协议大获成功的基础上，联盟伙伴将能够生产出高性能、低功耗的32纳米芯片。
联盟伙伴计划将各自的专业技术汇聚起来，在设计、开发和制造技术方面进行协作，协作将一直持续到2010年。这些技术作为广泛系统的领先平台——从下一代手持设备到世界上性能最强的超级计算机，可被五家联盟伙伴和其他公司用来解决诸如医药、通讯、交通和安全等领域的现实问题。
协作创新是保持领先的关键所在
“IBM仍然相信，不管是现在还是未来，在一个开放的合作伙伴体系中开展协作创新，是保持技术领先地位的关键所在，”IBM全球工程解决方案部半导体解决方案总经理Michael Cadigan说，“今天发布的新闻验证了满足客户领先技术要求的战略。随着我们的协议扩展至32纳米技术——包括我们对已开展逾十年之久的联合开发模式进行补充的研究和制造，IBM正与其联盟伙伴密切合作，推出能显著改变我们生活、工作和娱乐方式的前沿技术。”
“英飞凌继续奉行与联盟伙伴联手开发和投产最先进技术的成功战略，”英飞凌基础技术和服务部门高级副总裁Franz Neppl博士说，“联合开发的技术，加上英飞凌的应用和产品设计能力，将使得英飞凌能够为其通信和汽车/工业领域的核心客户提供经济合算的硅芯片解决方案和制造能力。”
“32纳米技术将遭遇材料和器件结构方面新的重大挑战，”三星电子系统LSI部ASIC/晶圆业务执行副总裁KP Suh说，“我们期望和拥有业内众多领先技术的伙伴一起努力，推出突破性技术。”
作为Common Platform技术制造厂商的IBM、特许半导体和三星将能够利用联合开发出的32纳米工艺技术和设计套件，使它们的制造工厂保持同步。这有助于它们在为各自的高产OEM客户灵活生产几近相同的芯片，这些OEM客户要求采用多方外包模式并希望尽早获得工艺技术。
五家公司在联手推出业内领先的、用于高性能低待机功耗产品的技术时，将：
在保持出色性能的同时，专注于降低成本和复杂性；在后端工序（BEOL）应用新材料，如高介电常数金属栅极(high-k/metal gate)、先进的应力工程材料，以及超低介电常数薄膜；应用尖端的浸没式光刻技术，使密度和芯片尺寸具有竞争力；致力于为数字通信市场提供优秀的模拟产品；为RF CMOS和嵌入式DRAM等衍生技术提供平台。
此外，通过在制造平台伙伴采用共同的制造电气规格，有助于技术在各伙伴的工厂之间轻松转移。
“业界已经认识到协作模式在提供高性能及高性价比产品解决方案方面的价值和重要性，”特许半导体技术开发部门高级副总裁Liang-Choo Hsia说，“在合作模式的第四阶段，每个公司将提供独有的能力和专长，开发以客户为中心的产品。我们之间的协作已经成为为客户提供世界级的灵活外包解决方案的平台。”
与之前联合开发行动一样，32纳米工艺合作将包括联合开发一个套件（enablement package）。这个套件可支持大多数通用设计工具，从而允许客户在具体产品上应用32纳米技术时，能够发挥该先进技术的全部潜力。
与前几个阶段一样，32纳米工艺开发活动将在IBM设在纽约州East Fishkill的300毫米尖端晶圆厂进行。飞思卡尔半导体于1月23日宣布加入联盟。
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