- 如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效问题。本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的上升坡度
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罗姆半导体 dv dt
- 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪崩电流IAS”，参见下图（1）。MOSFET的失效机理本文的关键要点・ 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・ 发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET
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罗姆半导体 雪崩失效
- SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。本文的关键要点・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头进行测量，在开关速度较快时
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罗姆半导体，MOSFET
- 姚玲玲 （罗姆半导体（上海）有限公司 技术中心 助理经理） 1 智能电表的发展机会 在智能物联网的应用中，罗姆（ROHM）目前主要着力点仍然在感知层。通过不断优化终端的数据采集和数据预处理，减轻边缘计算负担；提供无线传输方案，实现快速、安全的数据传输。 智能电网在建成“坚强智能电网”的基础上，正在与“泛电力物联网”相融合，以建设“能源互联网”。作为感知层的智能电表，将会承担“智慧网关”的角色。新一代智能电表引入操作系统、可插拔模组化设计理念，将主芯片分为管理芯和计量芯，新增了负荷识别模块，并可根
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- 2019年3月22日下午，由罗姆半导体（上海）有限公司主办、上海大学承办的2018年度“罗姆杯”上海大学大学生机电创新设计大赛在上海大学宝山校区工程技术训练中心圆满落下帷幕。上海大学机电工程与自动化学院领导、罗姆半导体（上海）有限公司设计中心领导以及全体参赛学生和指导老师出席了本次活动。颁奖仪式合影本届大赛自2018年7月正式启动，历时9个月终于圆满落幕。大赛围绕智能环境下“机械+”面向家庭和校园生活智能机械、物联网智能系统应用、互联网+应用、供电技术产品设计、机电一体化产品设计等主题进行应用设计，共吸引
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罗姆半导体
- 11月30日，北汽新能源(北汽蓝谷
600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书，并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。 该联合实验室的成立，是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措，联合实验室成立后，北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中，并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。 近年来，以SiC为代表的第三代功率半导体材料，已经被广泛应用在新能源
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北汽新能源 罗姆半导体 SiC
- 2014年11月16日，第十六届高交会电子展ELEXCON2014在深圳会展中心2号馆正式拉开帷幕。在这一中国最重要的电子展上，除了村田制作所、TDK、罗姆半导体、东芝电子、松下电器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、君耀电子、宇阳科技、顺络电子、诺信、腾盛等持续多年参展的企业外，三星电机、华新科、风华高科、潮州三环、Nesscap、上海芯导、台湾明纬等不少新的代表性企业也一并携新产品新技术登台亮相，展出大量“助力新兴产业发展，推动传统市场小型化、绿色化、智慧化、互联化转型”的产
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电子展 罗姆半导体 元器件
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[EEPW北京讯]2013年5月24日，清华大学罗姆电子工程馆（清华校内称之为‘罗 姆楼’），“２０１３清华－罗姆国际产学连携论坛”在这里如期召开。通过对此次论坛的实地采访，笔者再次获得了深入了解这起曾引起业界广泛关注的高校与国际企业间合作成功案例最新进展的机会。
‘罗姆楼’热闹起来了
在清华大学学生中间，“清华罗姆电子工程馆”被简称为“罗姆楼”，现如今清华大学电
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罗姆半导体，清华大学
- 由于具有低功耗、高耐压、高耐温、高可靠性等优点，SiC功率器件被广泛应用于电动汽车/混合动力车中的逆变器、转换器、PFC电路等领域、传统工业(尤其是军工)中的功率转换领域以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域，很多半导体厂商都看好SiC技术的未来，并积极投身其中，在08年收购生产SiC晶圆的德国SiCrystal公司之后，罗姆半导体(ROHM)已经在SiC领域形成了从晶圆制造、前期工序、后期工序再到功率模块的一条龙生产体系，并率先市场SiC器件的量产，罗姆要将SiC器件应用于哪些新兴领域?如何发
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罗姆半导体 电动汽车
- 从东京坐上新干线往南行驶2个小时，夜幕降临时，便抵达了日本古城京都。
这是一座不允许建高楼，甚至不允许在街头出现鲜艳颜色广告牌的城市，街道上看不到东京一样的车水马龙，一些人喜欢把它比作日本的西安——京都的城市格局系仿照唐代的长安城修建。
不过，当你驱车在这座古城中穿梭，你会惊奇地发现欧姆龙、京瓷、罗姆、村田制作所、任天堂等一大批响当当的名字不时在街旁出现。一组最新的统计数据足以让它们的东京同行们感到十分难堪：在日本的半导体元器件企业中，总部位于京都的企业，如村田制作
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罗姆半导体 元器件
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