台积电已启动2nm试产前置作业，将导入英伟达DGX H100系统使用cuLitho加速

6月5日消息，据业内消息，晶圆代工大厂台积电近期已经启动了2nm试产的前置作业，将搭配导入最先进AI系统来实现节能减碳，并加速试产效率，预计苹果、英伟达（NVIDIA）等大厂都将会是台积电2nm量产后的首批客户。

消息人士透露，台积电为应对2nm试产前置作业，内部也开始调度工程师人力到竹科研发厂区做准备，预计召集千人以上的研发部队，初期会先在竹科建立小量试产生产线，目标今年试产近千片，试产顺利后，将导入后续建设完成的竹科宝山Fab 20厂，由该厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。

对于传闻，台积电6月4日表示“不评论相关传闻”，但强调2nm技术研发进展顺利，预计2025年量产。

公开资料显示，台积电未来最先进的2nm生产基地会先是在竹科宝山Fab 20厂，该厂区为四期规划，后续还将扩至中科，共计有六期的工程。

台积电2nm制程将会首度采用全新的环绕闸极（GAA）晶体管架构。台积电此前在技术论坛中指出，相关新技术整体系统性能相比3nm大幅提升，客户群先期投入合作开发意愿远高于3nm家族初期，并可量身订做更多元化方案。

台积电此前已公布了2nm家族制程蓝图规划，将包括2025年量产的N2，主要为高性能计算（HPC）产品量身打造背面供电设计，将在2025下半年推出；另外，2奈米家族的N2P和N2X预计将在2026年推出。

供应链透露，台积电在客户们的迫切需求推动之下，2nm多项前期作业已展开，最关键是光刻计算方面，一改过去依赖于CPU的方式，将导入以英伟达的DGX H100的AI系统进行协助，大幅提升运算效率，并同步提升光罩产量，大幅减少服务器用电。

在今年的3月的英伟达GTC大会上，英伟达就发布了一项面向芯片制造行业的突破性技术——NVIDIA cuLitho计算光刻库，可以将计算光刻加速40倍以上，使得2nm及更先进芯片的制造成为可能。

“计算光刻是芯片设计和制造领域中最大的计算工作负载，每年消耗数百亿CPU小时。大型数据中心24x7全天候运行，以便创建用于光刻系统的掩膜板。这些数据中心是芯片制造商每年投资近2000亿美元的资本支出的一部分。”黄仁勋表示，cuLitho能够将计算光刻的速度提高到原来的40倍。举例来说，英伟达H100 GPU的制造需要89块掩膜板，在CPU上运行时，处理单个掩膜板需要两周时间，而在GPU上运行cuLitho只需8小时。

当时黄仁勋就表示，全球最大晶圆厂台积电、全球光刻机霸主ASML、全球最大EDA巨头新思科技（Synoposys）均参与合作并引入这项技术。该软件正被集成到台积电的设计系统中，台积电将于6月开始对cuLitho进行生产资格认证。它还将被集成到Synopsys的设计软件中。

据介绍，台积电可通过在500个DGX H100系统上使用cuLitho加速，将功率从35MW降至5MW，替代此前用于计算光刻的40000台CPU服务器。使用cuLitho的晶圆厂，每天可以生产3-5倍多的光掩膜，仅使用当前配置电力的1/9。

编辑：芯智讯-浪客剑