SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性以及GaN HEMT 的栅极特性
来源：芯TIP
报告主题：SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性以及GaN HEMT的栅极特性
报告作者：Professor Layi Alatise and Dr Jose Ortiz Gonzalez
报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）
SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性：
使用第三象限特性表征 BTI、使用串扰表征 BTI
GaN HEMT 中的栅极特性：
栅极特性、第三象限特性以及栅极应力和阈值电压不稳定性
报告详细内容
▍SiC/GaN功率器件的栅极界面可靠性
▍GaN HEMT 的栅极特性
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