- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，新一代硅电容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor)
Gen3已通过客户验证，此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势，可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合，满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。爱普科技的S-SiCap™使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发，相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度
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爱普 高电容密度 硅电容 S-SiCap
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