全球领先的嵌入式和移动软件提供商风河®近日宣布，诺斯洛普·格鲁门公司(NYSE: NOC)使用风河VxWorks技术成功在布什号航空母舰上实现X-47B无人机以弹射方式发射与着陆，创下航空史上无人机在航母上发射与着陆之先河。
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风河 X-47B UCAS-D
1月24日消息，除Nexus系列手机外，谷歌可能正在开发“X Phone”手机和“X Tablet”平板电脑，并预计于7月上市。
谷歌CEO拉里•佩奇(Larry Page)周二在电话会议上称，当前的智能手机在续航、抗摔和充电等方面还存在很大提升空间。业内人士认为，这可能意味着传说中的X Phone手机确实存在。
对佩奇这番话的一个很好的解释就是：谷歌正在开发，或者至少是思考过，一款能够续航更长时间的手机，还支持新奇的充电方式功能。
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谷歌 X Phone
1月18日，英特尔发布了其2012年最后一个季度的财报，这份黯淡的财报唯一亮眼之处是数据中心业务部门的营收达到了28亿美元，同比增长了4%;而该公司最核心的PC芯片业务营收在这一季度下滑了6%。
同一天，戴尔公司在美国加利福尼亚州举办的开放计算峰会上展示了其专为数据中心客户打造的64位ARM服务器。戴尔公司首席架构师兼技术专家Jimmy Pike称，“我们将在基础设施中使用规模庞大的ARM服务器，这种情况可谓前所未见”。
时间再向前倒回一个礼拜，百度公司在中国展示了
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ARM 服务器 X-Gene 64
过去一直传闻摩托罗拉将会推出名为X Phone的秘密武器，但似乎给人的感觉是雷声大雨点小。不过，日前国外媒体又带来了这款X Phone的最新消息。按照相关说法，摩托罗拉将会在今年的谷歌(微博)I/O开发者大会上推出传闻中的X Phone手机，其特色是将会拥有5英寸无边框触控屏，并且会搭载新一代的Android 5.0系统。
首款Android 5.0系统机型
根据国外媒体的报道，摩托罗拉将会在今年的谷歌I/O开发者大会上推出X Phone手机，并且还将搭载最新推出的Android 5.0系
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摩托罗拉 X Phone
字母X对于人们来说总有一种期待在里面，这个字母向来代表了神秘、未知以及某种程度上的惊喜，而这一次相信也不会例外。有传言称，曝光以久的索尼C650X Odin将定名为Xperia X。
传索尼Odin定名为Xperia X(图片引自phonearena)
前几天另外一款与Xperia X同期曝光的索尼C660X Yuga被传定名Xperia Z。虽然这两款手机目前都没有得到官方正式，但根据大量的真机谍照与规格曝光来看，可信性还是相当高的。据悉，索尼Xp
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CES 索尼 Xperia X
12月23日消息，据国外媒体报道，消息人士称，摩托罗拉移动的工程师正在打造一款精致的设备，内部称之为“X手机”(X Phone)。
报道称，摩托罗拉移动正在设计一款带有尖端功能的大尺寸设备，希望其能从市面现有的手机产品中脱颖而出。传言称这款设备将于明年发布。谷歌在7个月前收购了摩托罗拉移动。
据消息人士透露，尽管谷歌向来以网络业务上快速的执行力闻名，但其新收购的硬件业务在制造和供应链管理上存在一些麻烦。这可能导致公司重新考虑“X手机”最初的一
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摩托罗拉 手机 X Phone
12月19日消息，继今年7月底中兴手机在国内首家推出android4.1(jellybean)官方体验版之后， 12月19日，中兴手机在印尼正式推出android4.1系统的智能手机Grand X。这也标志着中兴android4.1系统手机在全球开始大规模上市商用。
“选择在印尼上市，因为印尼对于中兴通讯来说，是一个非常重要的市场，同时，印尼由于人口众多，由消费者推动的技术产品创新在亚洲乃至世界都是有目共睹的，“中兴通讯印尼终端销售总监Susanto So
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中兴 手机 Grand X
Analog Devices Inc(ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商和医疗成像行业的长期合作伙伴，最近推出一款高度集成的数字 X 射线模拟前端 (AFE)ADAS1256，其在多种功耗模式选项下都具有业界最佳的噪声性能以及最高图像质量。
这款256通道的 ADAS1256数字 X 射线 AFE 是业界首款单芯片解决方案，通过集成低噪声可编程电荷放大器、相关双采样电路和16位模数转换器 (ADC)，可提供完整的电荷至数字转换信号链。在2微微库仑满量程时，560个电子的等效电荷具有
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ADI X 射线 ADAS
近日，北京泛华恒兴科技有限公司(简称：泛华恒兴)召开了题为“测试平台化软件解决方案——X-Designer”的产品发布会，泛华恒兴高级系统工程师、软件组产品负责人宫晨、高级产品工程师李巍向业界做了正式发布，并介绍了X-Designer的核心组件：DAQ On Demand、Data On Demand和Test On Demand。
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泛华恒兴 测试 X-Designer
X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
X-FAB Silicon Foundries 宣布，已经增加在总部位于德国的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，从25.5%提高到51%，成为后者的最大股东，并将MFI重新命名为X-FAB伊策霍微机电系统晶圆厂(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述动向反映了X-FAB对MEMS制造服务与技术的重视。伊策霍(Itzehoe)厂补强了X-FAB 微机电系统晶圆厂最近在艾尔福特宣布的MEMS功能与资源，增添微感测器、致动器、微光学结构与
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X-FAB 微感测器 MEMS
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