作为本世纪初被开发以面对22nm以后半导体工艺难题的两大制程技术之一，FD-SOI显然从知名度上远远不如FINFET那样耳熟能详，从应用的广度上......
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FD-SOI 芯原微电子 格芯 三星
2019年9月17日 中国上海 - SOI产业联盟( SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者,分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang(黄河),二位为RF-SOI (一种广泛用于蜂窝通信芯片的领先技术)技术进步做出贡献而荣获此殊荣。此次SOI产业联盟在上海举办了年度RF-SOI论坛,共有来自中国和世界各地的450多位行业领袖参加,是SOI
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SOI RF
日前，格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
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格芯 Soitec SOI
格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin
Integration今日宣布，双方正在合作研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案，提升格芯22nm FD-SOI
(22FDX®)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分，Dolphin
Integration与格芯正在共同研发ABB系列解决方案，加速并简化SoC设计的体偏置实施方案。ABB具备特有的22FDX功能，可以让设计师利用正向及反向体偏置技术，动态地补偿工艺、
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格芯 FD-SOI
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体
(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)在IEDM2018国际电子器件展会上，公布了内置嵌入式相变存储器(ePCM)的28nm
FD-SOI汽车微控制器(MCU)技术的架构和性能基准，并从现在开始向主要客户提供基于ePCM的微控制器样片，预计2020年按照汽车应用要求完成现场试验，取得全部技术认证。这些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，将被用于汽车传动系统、先进安全网关、安全/ADAS系统以
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意法半导体 FD-SOI
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，Soitec半导体公司于2018年9月18日至19日参加了在上海由SOI国际产业联盟举办的第六届FD-SOI高峰论坛暨国际RF-SOI研讨会(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。来自国际顶级半导体公司、科研院所、投资机构和政府部门的业内精英在本届高峰论坛上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、边缘计算(Edge computing)、5G网络连接技术中的应用等话题进行了探讨
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Soitec FD-SOI
在许多人眼中，中科院院士、中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦既是一位具有全球视野的战略科学家，也是一位开拓创新而又务实的企业家。他带领团队制备出了国际最先进水平的SOI晶圆片，解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题，孵化出我国唯一的SOI产业化基地。
他在上海牵头推进了一批半导体重大项目——12英寸集成电路硅片项目有望填补我国大尺寸硅片产业空白。3月23日，王曦荣获上海市科技功臣奖。
从下围棋中得到启发
空间辐射会对卫
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格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。 格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电
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格芯 RF-SOI
5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。 9月26日，第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场，发表主题为「以SOI技术制胜(Winning with SOI)」的演讲，阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展，介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状，并畅想了产业的未来。 关于
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格芯 FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。 该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，
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格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
预计半导体和代工市场将在2016-2020年出现强劲成长，半导体年复合增长率达4.4%，代工业年复合增长率达7.1%，而且中国代工厂的年复合增长率更高，达20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工厂奠基典礼之后，向部分国内媒体介绍了格芯对全球半导体市场的看法及其业务扩展计划。
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半导体市场 FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203
全球代工巨头格罗方德(GF)在成都落子，与成都市政府合资建12英寸生产线，GF占51%，并引入中国半导体业非常有兴趣的22FDX(FD-SOI)技术。
“格芯”之所以引起业界关注有两点：
1)与厦门的”联芯”一样是合资企业，它不同于之前英特尔、海力士、三星及台积电的独资模式;
2)导入SOI技术，目前计划是2018年开始成熟制程量产，以及2019年是22纳米的FD-SOI技术量产。
为什么SOI技术对于中国是个亮点?
在摩尔
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SOI 格芯
近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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