- PWM 应用中的低电压反馈
作者：德州仪器 (TI) 电源控制产品部 Steve Mappus
就低电压高电流电源应用而言，开关式电源门极驱动要求特别重要。由于几个 MOSFET 器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求，因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案的方便性就不再是可行的选择。MOSFET 并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，门极充电的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗其形式都表现为
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PWM 其他IC 制程
- 就低电压高电流电源应用而言，开关式电源门极驱动要求特别重要。由于几个 MOSFET 器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求，因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案的方便性就不再是可行的选择。MOSFET 并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，门极充电的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此，许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地驱动更高的门极充电。
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PWM
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电流 控制 预测 整流器 高频 PWM 三相
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变换器 全桥 PWM ZVZCS 新颖
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电源 400Hz 实现 放大器 PWM
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系统 应用 电源 间断 PWM 控制器 集成
- 2004年6月A版
就低电压高电流电源应用而言，开关式电源栅极驱动要求特别重要。由于几个 MOSFET 器件通常并联以满足特定设计的高电流规范要求，因此单一集成电路控制器与驱动器解决方案就变的不再可行。MOSFET 并联可降低漏极到源极的导通电阻，并减少传导损耗。但是，随着并联器件的增多，栅极充电的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的内部阻抗大大低于驱动级，因此与驱动并联组合相关的大多数功率损耗，其形式都表现为控制器集成电路的散热。因此，许多单片解决方案的驱动级由于并联组合的关系都无法有效地满足
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PWM 模拟IC 电源
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