奈梅亨，2021年5月10日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件，具有出色的开关性能和领先的热性能。新器件采用Nexperia的夹片式FlatPower (CFP)封装，管脚尺寸远小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工艺可在降低漏电流的同时，大幅减少存储在器件中的Qrr电荷。因而，Trench肖特基整流器能够实现超快的开关速度，既能减少整流器的开关损耗，又减少了同一换向单元中MOS
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Nexperia Trench 肖特基整流器
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司（简称UAES）在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。 随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正渐入佳境，势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia GaN FET产品已与UAES在电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器等项目中开展研发合作。N
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Nexperia 联合汽车电子 氮化镓
关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比，由于去掉了PCB线路，其占用的PCB面积减少了30%，同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺，并具有成熟的汽车级
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
奈梅亨，2021年2月9日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。 新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia的母公司闻泰科技承诺投资120亿元人民币（18.5亿美元）在上海临港新建一座300mm（12英寸）功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于2022年投入运营，预计年产40万片晶圆。 Nexperia今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特的欧洲晶圆厂试试全新的200mm技术。汉堡晶圆厂还会增加对宽带隙半导体制造新技术的
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Nexperia 闻泰科技
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（如轻度混合动力和EV汽车）和其他更高电压的电路，这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响，以前的50 V器件无法处理。 通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET（两个晶体管和两
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Nexperia RET
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。 在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装，带有可湿锡焊接侧焊盘，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准，同时提供行业领先的ESD和RF性能，节省了PCB空间。 Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少
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Nexperia CAN-FD 保护二极管
奈梅亨，2020年10月29日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年11月5日至10日在上海举办的第三届中国国际进口博览会并将全方位介绍Nexperia如何运用逻辑IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等创新器件推动全球各类电子设计的发展。 Nexperia凭借多元化、高产能的产品组合和行业领先的小封装技术引领全球市场。Nexperia生产约15,000种产品，每年新增800余种新产品。作为未来创新技术的推动者，Nexperia展台位于本届中国国际进口博览会
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Nexperia
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。 Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供ASFET系列。 定制ASFET可实现的改进因应用而异，例如对于热插拔应用，安全工作区域(SOA)能提高3至5倍；对于电机应用，最大额定电流可超过300 A。 Nexpe
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Nexperia
2020年10月12日消息，半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布新推出一系列LED驱动器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装，能有效节省空间。LED驱动器带可焊性侧面(SWF)，可促进实现AOI（自动光学检测）并提高可靠性。这是LED驱动器首次采用这种有益封装。新量产的无引脚的产品加入已经量产的带引脚的产品提供更广的产品组合，新产品与SOT223相比，在具备同等性能的情况下，将PCB空间减少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驱动器采用NPN和PNP技术，
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Nexperia LED驱动器
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101认证，适用于车规级应用，并且可承受高达175°C的高温。同时，与所有TrEOS器件一样，这些新的车用器件具有很低的电容，可确保高信号完整性，并具有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
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Nexperia 车用TrEOS ESD
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
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