绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600
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Nexperia IGBTs
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术，是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的新型电池寿命增强器，相比于同类解决方案，可将该类电池寿命延长10倍，与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比，使用该增强器还可将电池的峰值输出电流能力提高至25倍。大幅延长工作寿命意味着低功率物联网(IoT)和其他便携式应用中的废旧电池数量将显著减少，同时，过去只能由AA-或AAA-电池提供动力的应用也有望改用纽扣电池。 &
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Nexperia 纽扣电池 功率增强器
奈梅亨，2023年6月21日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数导致产生了意外后果
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Nexperia MOSFET
奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块，用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件，并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 这些交互式数据手册使用Nexperia的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、RDS(o
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Nexperia 交互式数据手册 MOSFET
奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用输入输出(GPIO)扩展器产品组合，旨在提高电子系统的灵活性和重复利用能力。其中一款GPIO扩展器NCA9595采用可通过寄存器配置的内部上拉电阻，可根据实际需要自定义以优化功耗。当需要扩展I/O数量时，利用该产品组合可实现简洁的设计，同时尽可能减少互连。这有助于设计工程师增添新功能，而且不会增加PCB设计复杂性和物料成本。 随着服务器、汽车、工业、医疗和物联网(IoT)的发展，需要通过微控制器进行监测的传感器信
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Nexperia I2C GPIO 扩展器
奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数
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Nexperia 电源转换 碳化硅二极管 PIN肖特基结构
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出能量采集解决方案，进一步丰富其电源管理IC系列。该方案可简化低功耗物联网(IoT)及其嵌入式应用，并增强应用性能。NEH2000BY是高性能电源管理集成电路(PMIC)，可从环境中收集能源（例如借助光伏电池采集光能），并给电池或储能电容充电。凭借此特性，Nexperia的NEH2000BY可为开发体积更小、更环保的自供电式电子设备提供支持。此外，该能源采集解决方案还有助于减轻每年生产和废弃的数十亿电池对环境的影响。 NEH2000BY 可帮助简化能源采集
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Nexperia PMIC 低功耗器件
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
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Nexperia SMD 铜夹片 LFPAK88 MOSFET
奈梅亨，2023年3月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天推出符合AEC-Q101标准的产品组合，其中包含六个ESD保护器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保护LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等车载网络(IVN)中的总线免受静电放电(ESD)和其他瞬变造成的损坏。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，ESD保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。与汽车和小型车辆中的电池电压相比，24 V电源通常用于卡车和商用车
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Nexperia 24 V电源 车载网络 ESD保护
可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。阅读本文，了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。为了减少元器件数量、简化电路板设计，配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起，集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻，以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部
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Nexperia RET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia 高速数据线 TrEOS ESD 保护器件
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器件，可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器，以及工业应用中的功率转换器、PV逆变器和电源。标准产品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101标准的产品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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Nexperia，650 V，超快恢复整流管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
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