全球范围看,2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元,增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市场规模约占56%,NAND Flash市场规模约占41%(IC Insights数据)。另外,根据CFM 闪存市场预计,2021年全球存储市场规模将达1620亿美元,增长29%,其中DRAM为945亿美元,NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近,相差100亿美元。目前,全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款专为数据中心工作负载设计的基于 176 层 NAND 技术的SATA 固态硬盘 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先进的数据中心 SATA SSD产品,采用久经考验的第 11 代 SATA 架构,支持广范的应用场景,提供相比传统机械硬盘 (HDD) 显著提升的性能,并延长了 SATA 平台的使用寿命。美光副总裁暨数据中心存储产品总经理 Alvaro Toledo 表示
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美光 数据中心 176 层 NAND SATA SSD
“独立子公司成立仅三个月,两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营,以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD(eSSD)产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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SK海力士 Solidigm eSSD NAND
IBM发布下一代闪存产品,瞄准日益严峻的勒索软件和其他网络攻击。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在帮助企业更快速地检测勒索软件和其他网络攻击并从中恢复;而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存储模型能够提供单一且一致的操作环境,旨在提高混合云环境下的网络复原力和应用程序性能。 IBM 推出下一代储存产品,瞄准勒索软件及其他网络攻击根据IBM网络弹性机构的研究,46%的受访者表示在过去两年中经历了勒索软件攻击。随着网络攻
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NAND Flash IBM 闪存
据韩国媒体消息,中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能,并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估,并决定批准该收购,这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
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SK海力士 英特尔 NAND 闪存
中国西安正受疫情影响而封城,目前尚无法预期解封时间,根据TrendForce调查,由于三星(Samsung)在当地设有两座大型工厂,均用以制造3D NAND高层数产品,投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%,占全球亦达15.3%,现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而,当地封城措施严格管控人流及物流,尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适,但无法排除接下来因物流延迟出货的可能,这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外,该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟,但三星
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TrendForce 三星 NAND Flash
根据TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash产业总营收达148.2亿美元,季增5.1%,其中位出货量成长11%,大致抵消平均销售单价下跌5%带来的影响。在议价时,需求端虽受惠于笔电、智能型手机需求强劲,但数据中心市场需求仍属疲弱,市场尚未脱离供过于求的状态,各类产品合约价仍呈现明显下跌。然而,OEM/ODM采购开始留意到NAND Flash控制器缺货冲击中低容量产品供给,自今年一月下旬便开始增加订单,一方面避免陷入缺货风险,也希望在料况无虞的情况下,策略性扩大市占,使得第一季NAND
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NAND Flash
2020 年11 月,美光科技宣布出货全球首款176 层NAND,实现闪存性能和密度的重大突破(如图1)。为此,《电子产品世界》采访了该公司工艺集成技术开发高级总监Kunal Parekh 和NAND 组件产品线高级经理KevinKilbuck。问:176 层产品目前用于哪些应用?Kevin Kilbuck:我们Crucial英睿达品牌的某些消费类固态硬盘采用了176 层NAND,已经开始出货。问: 新的176 层NAND 如何解决产量挑战?如何解决层间干扰?Kunal Parekh: 通过严格的试验和测
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202103 NAND
近日,美光在业界率先推出 1α DRAM 制程技术。值此机会,该公司举办了线上媒体沟通会,执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana 先生介绍了对DRAM、NAND的市场预测,以及美光的研发、资本支出、产品布局等。执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana1 2021年DRAM和NAND将增长19%展望2021年,全球GDP增长约5%。而根据不同分析师的预测,半导体产业预计增长可达12%,整个半导体产业的产值将达5020亿美元。其中,内存与存储预计增长可达19%,增度远超整
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DRAM NAND
存储芯片大厂美光(Micron)执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示,2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年显现明显复苏,并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),用于缓存,另一种是NAND
Flash(闪存),用于数据的存储。在DRAM领域,韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND
Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称,预期今
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美光科技 DRAM NAND
· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存· 新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
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TDK 3D NAND 闪存 SSD
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.
简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [
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