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美光科技宣布推出适用于旗舰级智能手机的尖端移动3D NAND解决方案

  •   美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品,这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。  该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术,
  • 关键字: 美光  NAND   

春节不停工,武汉国家存储器基地要在今年实现3D NAND量产?

  •   打造万亿级产业集群,推动武汉经济高质量发展。春节阖家团圆之时,仍有大量建设者、生产者坚守岗位,为城市发展贡献“加速度”。过年期间,分布在誉为“黄金大道”的8公里左岭大道上的多个重大产业项目上,有超过2000多人坚守岗位过大年,光谷“芯片—显示—智能终端”万亿级产业集群正在“加速度”中加快锻造。   在国家存储器基地,有600多人在建设工地上忙碌。据了解,目前,他们正在进行厂内洁净室
  • 关键字: 存储器  NAND  

空气产品公司将为三星电子西安第二座3D V-NAND芯片厂供气

  •   全球领先的工业气体供应商——空气产品公司 (Air Products,纽约证券交易所代码:APD) 今天宣布将为三星电子位于西安市的第二座半导体工厂供应工业气体。  位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一,也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。  空气产品公司西安工厂自2014年起开始服务于这一项目,目前运作两座大型空气分离装置、一座氢气生产装
  • 关键字: 三星  V-NAND  

买个32G内存的手机为啥只有20几个G?看完你就懂了

  •   现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢?  我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:        我们接触到的16G、32G等手机,为何实际
  • 关键字: eMMC  NAND   

旺宏2017NOR市占达30%,称霸全球

  •   旺宏昨日召开财报会表示,2017年在NOR型快闪存储器的市占率约30%,为全球霸主。另外,小于75纳米制程产品占2017年第四季NOR营收60%,旺宏并预计NOR型快闪存储器2018年成长动力将来自于数据中心、电信与车用产品等。NOR型快闪存储器占上季旺宏营收48%为最大产品线。   旺宏电子总经理卢志远表示,预期今年高品质的NOR型快闪存储器价格仍稳定微扬,旺宏不做低阶产品,也仍看好SLC NAND市况,因此对今年营运看法乐观。   就短期来看,卢志远表示,本季整体需求预估会比去年第四季缓和;虽
  • 关键字: NOR  NAND  

3D NAND-microSD 卡为视频监控带来重大突破

  •   由于人们对周遭环境(住宅、建筑、工厂、企业或基础设施的内外环境)的视觉感知需求不断增长,全球范围的视频监控市场都在飞速发展。然而,所部署系统的数量和部署位置更多地受限于视频摄像头供应方的经济状况,以及用于部署、管理和监控这些系统的基础设施的复杂性。        上一次视频监控行业的重大突破得益于图像传感器和数字化技术的一些重大改进,以及互联网协议(IP) 网络的广泛应用。当下,一些强大的新技术趋势——例如使用诸如美光科技提供的基于 3D 
  • 关键字: NAND  microSD  

2018年内存产业DRAM/NAND Flash恐是两样情

  • 大厂3D NAND良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不会太理想。
  • 关键字: DRAM  NAND   

美光科技推出业界首款基于领先的64层3D NAND技术构建的企业级SATA固态硬盘

  •   美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固态硬盘 (SSD),该产品可提供业界领先的性能、一致性、容量、可靠性和整体基础设施价值。美光 5200 系列固态硬盘基于美光科技业界领先的全新 64 层 3D NAND 技术构建,对于OLTP、BI/DSS、VDI、块/对象和媒体流等在硬盘上无法一展身手的业务关键型虚拟化工作负载,可为其提供经济实惠的 SATA 平台。   利用广受好评的 5100 SATA 固态硬盘的成熟架构和业界领先的性能及容量,美光 5200 系列提
  • 关键字: 美光科技  NAND   

2018年内存产业DRAM/NAND Flash恐是两样情

  •   2017年,整体内存产业不论DRAM或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018年可否持续荣景呢? 综合目前业界的看法,DRAM热度可望延续,供不应求态势依旧,但NAND部分,恐怕就不会那么乐观了,由于大厂3D NAND良率大跃进,供给过剩问题已经提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不会太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供给吃紧,届时产业由悲转喜。   DRAM无新增产能   首先就DRAM部分,以大方向来说,2018年在Fab端并无新增产能,顶多就
  • 关键字: DRAM  NAND   

Linux驱动之Nand Flash四问,原理、工作方式都包含了

  •   Nand Flash 是一个存储芯片。  那么:这样的操作很理“读地址A的数据,把数据B写到地址A”  问1:原理图上的Nand Flash和SC2440之间只有数据线,怎么传输地址?  答:在Data0-Data7上既传输数据,又传输地址,当ALE为高电平时传输的是地址  问2:从Nand Flash芯片手册可知,要操作Nand Flash需要先发出命令,怎么传入命令。  答:在Data0-Data7既传输数据,又传输地址,也传输命令  当ALE为高
  • 关键字: Linux  Nand   

3D NAND存储助力智能手机应用进入新时代

  •   前言  全球的智能手机用户一直在不断寻求更好的移动体验。他们不仅下载比以往任何时候都更多的应用,而且还使用更为复杂的应用来支持摄影、4K Ultra视频的播放和录制、电影流式播放、导航、图像采集以及虚拟现实(VR)/增强现实(AR)等方面更大的技术进步。  在某些地区,智能手机是唯一与外界联系的设备,因此用户对它们的依赖程度非常高,已经习惯于让手机不间断地运行并管理他们的日常生活。中国拥有全球最大智能手机用户群,这些用户经常使用高级在线支付服务(如Alipay(支付宝)和Tenpay(财付通
  • 关键字: NAND  存储  

美光科技和英特尔发布NAND存储联合开发计划的最新动态

  •   美光科技和英特尔今日发布了双方 NAND 存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的 NAND 技术并顺利推向市场。  此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代 3D NAND 技术。双方同意共同完成第三代 3D NAND 技术的开发,该技术将在 2018 年末交付,并持续到 2019 年初。在此技术节点之后,两家公司将独
  • 关键字: 美光科技  NAND   

存储器大厂3D NAND良率升 NAND Flash恐过剩

  • 三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。
  • 关键字: 存储器  NAND  

ARM平台数据为何会莫名其妙丢失

  •   Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器,为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。       图1 Nand-Flash与eMMC芯片  1.1存储器件使用寿命  使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象,是一个让无数工程师毛骨悚然的
  • 关键字: Nand-Flash  eMMC  

东芝宣布兴建第7座NAND Flash工厂

  •   2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。   事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工
  • 关键字: 东芝  NAND  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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