- 绿芯将于4月9日至11日在德国纽伦堡举行的2024年嵌入式世界展会 ((embedded world 2024)，4A号馆606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性价比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive®球栅阵列（BGA）固态硬盘，该产品用于工业控制和智能交通等高可靠应用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列专门为价格敏感但是要求高可靠的应用而准备，工作在宽温（-25oC至+85oC）环境下，支持3千擦写次数。NVMe NANDrive PX系列工
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绿芯 嵌入式展会 eMMC NVMe NANDrive 固态硬盘
- EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数； 高性价比eMMC NANDrive VX系列可在宽温 (-25oC 至 +85oC) 环境下工作中国，北京和美国，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 绿芯半导体新推出的高性价比VX系列为其客户提供更广泛的、高可靠的eMMC固态硬盘。eMMC NANDrive® VX系列采用153球封装，搭配高可靠的3D TLC NAND (每单元3bit)，可在宽温 (-25oC - +85oC)
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绿芯 固态硬盘 eMMC NANDrive
- 简单解释ROMROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器
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ROM RAM FLASH DDR EMMC
- 领先的移动和汽车SoC半导体IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于台积公司22nm工艺技术的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亚州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip
Systems为台积公司（TSMC）行业领先的22nm工艺技术扩展其IP产品，用于台积公司22nm工艺SoC设计的eMMC PHY
IP立即可用。台积公司22nm工艺中的eMMC PHY IP可与Arasan的eMMC
5.1主机控制器IP和软件无缝集成，从
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Arasan 台积 22nm eMMC
- 2019年，西部数据（WD）推出了首款面向工业和物联网应用的嵌入式 eMMC 存储设备，它就是 iNAND IX EM132 驱动器。 其基于该公司的 64 层 BiCS3 3D TLC NAND 闪存打造，读速高达 310 MB/s，辅以专为嵌入式、商业、工业等用途而设计的各项功能，提升了整体的可靠性和耐用性。
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西数 嵌入式 eMMC SSD
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
- 在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
- 现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢? 我们总是在说手机内存，那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后，为满足不断增大的系统文件而诞生的，是NAND Flash的升级版,他的结构如下：
我们接触到的16G、32G等手机，为何实际
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eMMC NAND
- Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器，为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。
图1 Nand-Flash与eMMC芯片 1.1存储器件使用寿命 使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象，是一个让无数工程师毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
- eMMC使命完成，UFS时代来临，如何快速从eMMC转移到UFS-在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素，都将大幅降低并行总线持续建立时间窗口，从而限制系统带宽的进一步提升。
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emmc ufs 数字接口
- 华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
- 随着游戏与视讯应用在行动装置上的普及，以及手机处理器性能的提升，eMMC的性能已经不能满足行动装置对于内存读写性能的要求，新一代的通用闪存储存(UFS)规格应运而生。
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eMMC UFS
- 通用快闪存储器标准(UFS)可望取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流，将成为未来旗舰手机标准配备，吸引存储器控制芯片厂群联与慧荣争相推出产品卡位。
随着4K影音与虚拟实境等技术日渐成熟，引爆旗舰智能手机对更高速、超高画质影音的储存需求，研调机构IHS预期，UFS可望在5年内取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流。
瞄准UFS未来发展潜力，群联抢在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快闪存储器控制芯片PS8311，预计今年第1季量产出货;群联并计划今年再推出一系列UFS芯片
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UFS eMMC
- eMMC芯片由NandFlash、控制器和标准接口组成，在应用上，和NandFlash比较，由于控制器的存在，不必考虑ECC和坏块管理策略，所以eMMC的应用比较简单。但是，eMMC烧写只需要把数据烧进去就可以了吗?为什么数据写进去了，系统还是跑不起来?
eMMC自诞生以来，就受到各行各业的追棒，如今，已成为存储行业的主流，特别是手机和平板。美国的IHS iSuppli预测到2018年全球的eMMC出货量达到2200Milion。
图
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eMMC 寄存器
- 存储技术飞速发展，存储成本越来越低，但是我们买到的U盘，硬盘容量却仍然总是会比标称值少很多，是厂商为了节约成本还是有其他苦衷?今天，就让我们从芯片角度，了解一下存储设备实际容量总是小于标称值更深层次的原因。 随着存储技术的飞速发展，存储芯片的存储密度和存储速度都得到了很大的提升，而存储芯片的成本却在不断降低，还记得几年前买个8G的U盘需要60块大洋，而现在仅需要20多块钱，手机也从几年前的4G机身内存飙升到现在的64G、128G内存。
话虽这么说，但是我
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eMMC 8G
emmc介绍
eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主，而手机的内嵌式标准规格除了eMMC之外，还包括SD协会设立的eSD规格，但目前看来仍是eMMC的使用客户群较普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4规格。
过去NAND Flash技术只要从50奈米转换至30奈米制程，或是SLC转换成MLC芯片，手机大厂都相当头痛，必须重新设计以及处里兼容性问题，然NAND [
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