- 10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
- 受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
- IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
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DRAM 闪存
- 尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端使用体验。当前，DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后，计划于2025年量产1γ
DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV
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DRAM NAND 存储
- 面对美国的护栏最终规则，韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道，随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）资金分配和限制的国家安全护栏，韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务，并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响，人们有不同的意见。但有一点是肯定的：希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件，并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示，补贴接受者在
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CHIPS法案 韩国半导体 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
- 消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。固定BOM的重要性消费类 DRAM 模块没有固定的 BOM（物料清单）；这意味着模块中使用的材料可能会发生变化，而且经常会在用户未知的情况下发生变化，另外用户可能会在一月份订购两个 DIMM 用于测试，在三月份再订购五百个用于生产，但无法保证一月份订购的模块与三月份订购的模块包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
- 内存大厂美光即将于27日盘后公布最新财报，鉴于美光对DRAM的订价能力提升，市场高度期待美光获利进一步改善，预期产业最坏情况已过。由于内存大厂近期积极减产，部分市场需求转强，AI服务器需求尤为强劲，致使DRAM报价逐渐改善。美光财务长Mark Murphy先前透露，若供应链持续保持自制力、预测价格有望于2023年下半转强。美光营运有望改善，带动股价逐渐走强，该公司年初迄今股价已上涨近4成。包括巴克莱、德银等券商，纷纷上调美光投资评等及目标价。巴克莱券商巴克莱给予美光「加码」投资评等，目标价从75美元调高到
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美光 DDR5 DRAM
- 受高通货膨胀、消费电子需求疲软等因素影响，存储市场发展“遇冷”，铠侠、美光等原厂陆续于去年第四季度启动减产，2023年三星宣布加入减产行列。不过，由于市场需求持续衰弱，2023年存储市况仍未复苏，价格不断下跌，厂商业绩承压。这一背景下，部分存储厂商期望通过继续减产维稳价格，推动市场供需平衡。近日，台湾地区《工商时报》等媒体报道，DRAM厂商南亚科将跟进大厂减产策略，调整产能、降低稼动率、弹性调整产品组合和资本支出，根据客户需求和市场变化动态调整，以应对市场疲软，预计产能将动态调降20％以内。此前，全球市场
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存储厂商 DRAM TrendForce
- 3D DRAM 的使用在未来或许是可能的。
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DRAM
- 一路暴跌的半导体行业在 8 月终于传来了好消息。TrendForce 集邦咨询研究发布最新数据，第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元，环比增长 20.4%，终结连续三个季度的跌势。存储作为行业的风向标，止跌是大家喜闻乐见的。这样的好消息背后，不知道还有多少变数，又何时传递给整个半导体行业呢？经历低谷根据 TrendForce 发布报告，2022 年第三季度 DRAM 行业营收为 181.9 亿美元，环比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供应商库存快速堆积，为抢占第四季度的出货市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，据台湾 《中央通讯社》 报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产，这是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术。据悉，美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂，1-gamma 制程势必会先在台中厂量产，日本厂未来也会导入 EUV 设备。卢东晖强调，台湾和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多达 65% 的动态随机存取记忆体（DRAM
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美光 DRAM
- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
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三星 12纳米 DDR5 DRAM
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高启全是全球 DRAM 领域最资深的人士之一。
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DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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