来自市场研究机构DRAMeXchange的最新数据，6月份全球DRAM出货量(折合为256M比特DRAM内存)增长了4%，达到了5.54亿件，其中DDR内存的比例从5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例为30%。 DRAMeXchange预测，随着DDR内存出货量的削减，其供应紧缺状况贯穿整个第三季度，而DDR2内存市场，就出货量而言，Powerchip半导体公司和ProMOS 科技公司在我国台湾厂商中处于领先地位。该研究机构还预测
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DRAM 存储器
国际DRAM厂供应货源不足因应旺季需求 OEM厂转向台厂寻求产能支应。由于OEM计算机大厂担心进入下半年产业旺季后，目前库存货源可能不敷使用，近期纷纷开始增加对DRAM厂下单，惟国际DRAM厂已陆续转移产能生产标准型DRAM颗粒以外的产品，因此供货情况未能满足国际OEM计算机厂需求，为此，OEM计算机厂也转向台湾DRAM厂寻求产能支应，且以过去主力供应现货市场的DRAM厂为主，据传订单数量相当惊人。 TRI观点：以产业链各厂商的动态来观察DRAM产业目前上下游市况如下：
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DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字，早盘股价纷纷拉回修正，盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上，茂硅一度跌停。 据港台媒体报道，DRAM 价格第 2 季处于低档，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏，税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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进入第二季底，多数DRAM厂原本为应对季底作帐而压低DRAM报价，不过，由于日前合约价公布后竟逆势上涨1～3%，让所有DRAM厂吃下定心丸，不再担心DRAM现货价恐将因DRAM厂抛货而产生跌价压力。DRAM渠道商指出，现在DRAM厂态度可说是相当强硬，客户端若无法接受其报出价位，宁可不卖也不愿压低报价。 全球DRAM最新合约价公布后，尽管无法达到DRAM厂原本希望上调到3～5%的幅度，但部份OEM电脑大厂已接受DRAM厂上调1～3%的事实，而DRAM厂之所以能顺势涨价，最重要因素在于目
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DRAM 其他IC 制程
5月26日消息，近几个月以来，全球DRAM大厂为配合英特尔（Intel）及国际计算机大厂全力推动DDRII成为下一世代的计算机主流架构，纷纷加速将产能转换至DDRII，因而造成DDR产出量迅速下滑。也由于计算机大厂对于DDRII做出“过于乐观”的错误判断，反而需回头向中国台湾DRAM厂采买更多的DDR颗粒以因应市场需求。 DRAM厂指出，过去几个月以来，戴尔（Dell）、惠普（HP）等个人计算机（PC）大厂，对于推升DDRII成为市场主流的态度越来越积
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近来台湾DRAM晶圆厂人事异动频繁，包括华邦电（2344）原记忆体事业部资深高阶主管王其国，以及力晶（5346）原创始元老曾邦助，都相继转换跑道，为其他DRAM业者效力，加上华邦电近半年来亦出现研发人员流动率偏高情况，DRAM业界多认为，尽管人员流动不至于影响DRAM厂既有运作，但仍凸显出DRAM产业高度不确定及不稳定特性。 华邦电发言人温万寿19日表示，王其国原任华邦电BG2（Business Group 2）事业群总经
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DRAM 其他IC 制程
根据彭博资讯(Bloomberg)，证券业者花旗集团旗下半导体分析师，宣布将DRAM业者包括美光集团科技(Micron)、英飞凌(Infineon)与南亚科技等的股票投资评等调高，理由是认为DRAM价格下跌的状态将开始减缓。 据了解，花旗将Infineon和南亚科技的评等由“持有”调高至“买进”，Micron和茂德(PronMOS)则由“卖出”调高至“持有”，韩国三星电子评等维持不变在“持有”。分析师指出，价格可能在下个月或其后一个约触底，而全球
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2005年3月A版 尽管2005年世界半导体业的销售值势比上年大幅下降，但销量将继续快速增长。为迎接这一需求，2005年300mm晶圆片生产线将加速建设。据iSuppli公司预测，当年将共建成16条生产线，比2003和2004年所建线加在一起还多。 2005年建设高潮是经历多年才形成的。早在1998年建成的300mm线，其回报在2001年经济衰退中受到严重打击，可执着坚持的公司却在2004年半导体市场再创新高时获得丰厚回报。
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英飞凌科技公司在2004年IEEE（电子和电气工程师学会 2004年12月13～15日于美国旧金山举行）国际电子器件会议（IEDM）上，展示了该公司具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以在300 mm晶圆上的深沟（DT）单元为基础。目前全球25％的DRAM生产都是以沟槽技术为基础的。在其报告中，英飞凌阐述了全部集成计划和主要技术特征――包括首次在基于沟槽技术的DRAM生产流程中使用高介电常数物质。英飞凌70 nm DRAM程序堪称重大技术突破，显示了沟槽技术的可伸缩性。
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iSuppli最新发布的报告指出，今年上半年全球DRAM市场规模比去年同期增长66%，中国市场增长88%，其次为亚太地区(不含中国)的81%。日本经济情况改善，其DRAM销售增 长70%。美国仅仅增长48%，远不及全球的66%。 在主要供货商方面，Hynix、Elpida Memory与大部份台湾地区供货商在上半年的占有率都比去年有所增长；而三星、美光与英飞凌的市场份额则在下降。中国是全球增长最迅速的DRAM市场，Hynix是该地区的领导厂商，市场占有率高达42%，去年同期为40%。
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企业网路设备厂商 - 美商凯创(Enterasys Networks)表示，日内发表其获奖产品Dragon入侵侦测系统（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基础架构中加入更好的延展性、可用性与弹性，以强化企业网路的安全
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IDS 凯创 DDR2 DRAM
1993年，第一块256K DRAM在中国华晶电子集团公司试制成功。
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华晶 DRAM
1985年，第一块64K DRAM在无锡国营742厂试制成功。
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芯片 DRAM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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