- 澜起科技集团有限公司，专注于为家庭娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的全方位解决方案的全球无晶圆厂供应商，27日宣布推出全球首颗第二代DDR4寄存时钟驱动器芯片(DDR4RCD02)。
DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02规范，支持2667MHz及以上的时钟频率。该芯片在性能和速度较其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存时钟驱动芯片(DDR4RCD01)有显著改善。目前澜起科技已经将DDR4RCD02工程样片交给客户，供其开发支持第二代DDR4 RDI
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澜起科技 DDR4
- 历经六年的开发时间，DDR4终于踏上征程，扬帆起航。
近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3，开始支持时钟频率达2133MHz的DDR4存储器，这表明在PC、服务器平台叱咤风云多年的DDR3进入世代交替的阶段。
其实英特尔的这个出乎意料的举动还满反常的，因为这异于其以往处理器支持新规格存储器的步调──通常先针对PC平台、再针对服务器平台。但目前英特尔仅在第三季才刚推出的高阶桌上型PC处理器当中(Co
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DDR4 处理器
- 全球存储领军品牌三星电子今日宣布，已开始正式量产业内首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封装技术的64GB DDR4 RDIMM内存。该款高密度高性能的内存模块不仅能推动企业级服务器和云计算环境下应用程序的不断发展，也会在数据中心解决方案的进一步多样化上起到关键性作用。
新推出的RDIMM内存由36个DDR4 DRAM芯片组成，而每片芯片又包含4颗4Gb的DDR4 DRAM裸片。这款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20纳米级制程技术和3D TSV封装技术。
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三星 DDR4
- Molex公司现推出DDR4 DIMM插座产品，具有气动及标准两种型款，为设计工程师提供更多的选项和更高的性能，同时保持成本竞争力。气动插座产品具有通孔端接类型和流线型的锁闩及外壳, 提供更好的气流及节省空间;而标准型款则具有三种端接类型：用于免焊工艺的压接式;简化印刷电路板(PCB)迹线路由的表面安装类型;以及用于高成本效益应用的通孔类型。
所有Molex DDR4 DIMM插座均可满足JEDEC规范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM内存应用，设计用于数据、计算、电信和网络服务器，具有
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Molex DDR4 插座
- 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合，可帮助客户达到DDR4标准的最高性能，亦即达到3200Mbps的级别，相比之下，目前无论DDR3还是DDR4技术，最高也只能达到2133Mbps的性能。通过该技术，需要高内存带宽的服务器、网络交换、存储器结构和其他片上系统(SoC)现在可以使用Cadence® DD
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Cadence DDR4 PHY IP CRC
- Teledyne LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和协议测试方案的领导者，升级了其Kibra 480 DDR协议分析仪平台，使其带有JEDEC的新288脚的边沿连接器的DDR4内存模块的探测选件。新的内插器支持DDR4 U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能够对每个通道的速率高达3200MT/s的两个DIMM进行非侵入式监控。 新的内插器的设计是用于配合力科的Kibra 480的协议分析仪的使用，其可坐落于DIMM内存槽中，且可
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Teledyne DDR4 DIMM JEDEC
- Teledyne LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和协议测试方案的领导者，升级了其Kibra 480 DDR协议分析仪平台，使其带有JEDEC的新288脚的边沿连接器的DDR4内存模块的探测选件。新的内插器支持DDR4 U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能够对每个通道的速率高达3200MT/s的两个DIMM进行非侵入式监控。 新的内插器的设计是用于配合力科的Kibra 480的协议分析仪的使用，其可坐落于DIMM内存槽中，且可
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Teledyne DDR4 DIMM JEDEC
- 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存储控制器DesignIP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。
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DDR4 28纳米
- 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存储控制器Design IP的首批产品在TSMC的28HPM和28HP技术工艺上通过硅验证。
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Cadence DRAM DDR4
- DDR4作为DDR3 DRAM的继承者，Micron本周一宣布明年将有望和大家见面，被应用在普通PC上。据澳大利亚的Techworld报道，公司已经为发售初始版本的内存DDR4做好准备。DDR3作为目前主流电脑的不二选择，相比较即将来临的DDR4已经明显在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的电压下，相比较和1.5V DDR3只需要1.2V，并且总线速度将定位在2133MHz，无论在读写性能和刷新频率上都明显强于前任。
制定内存标准的电子设备工程联合协会(JEDEC)下个月将推出DDR4
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Micron DDR4
- 虽然比起目前韩国双雄兼世界前两大内存/闪存设备生产商三星与SK Hynix慢了一步，但美光还是紧追不放在今日正式宣布该公司首个DDR4 DRAM模组研发完成。目前即将开始制造样品给主要客户送测，预计将于2013年正式进入市场。
根据内存标准化组织JEDEC的规划，服务器以及企业市场将于2013年最先尝到DDR4的甜头，它对比目前的DDR3内存拥有更高的频率和更低的工作电压。美光此次宣布的产品和台湾南亚科技共同研发，采用30nm制程工艺。单“条”内存模组拥有8块4Gbit
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美光 DDR4
- DDR3正处于如日中天的壮年期，DDR4并不会急匆匆地到来。最新消息显示，DDR4内存或于2014年首先用于服务器领域，然后再过一年半左右才进入桌面。据悉，Intel的再下代企业级服务器平台Haswell-EX将会第一个整合DDR4内存控制器。Haswell-EX和我们经常展望的Haswell属于同一家族，面向数据中心等大型企业领域，最多拥有16个核心，四路就是64核心。
DDR4内存不仅会带来频率的大幅提升(最高可达4266MHz)，更会有1.2V低电压、更好的对等保护和错误恢复等技术，这些大
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英特尔 DDR4
- DDR3正处于如日中天的壮年期，DDR4并不会急匆匆地到来。最新消息显示，DDR4内存或于2014年首先用于服务器领域，然后再过一年半左右才进入桌面。据悉，Intel的再下代企业级服务器平台Haswell-EX将会第一个整合DDR4内存控制器。Haswell-EX和我们经常展望的Haswell属于同一家族，面向数据中心等大型企业领域，最多拥有16个核心，四路就是64核心。
DDR4内存不仅会带来频率的大幅提升(最高可达4266MHz)，更会有1.2V低电压、更好的对等保护和错误恢复等技术，这些大
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英特尔 DDR4
- JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继续降低功耗。JEDEC固态技术协会宣称，DDR4将具备一系列创新特性，可带来更快的运行速度和广泛的实用性，包括服务器、笔记本、台式机、消费电子产品等等，其频率、电压和架构也都在进行重新定义，目标是简化新标准的迁移和部署。
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三星 DDR4
- 内存芯片的双倍数据速率（DDR4）的标准将包括三个数据宽度的产品，差分信号传输，数据屏蔽和一个新的终止计划，根据JEDEC的固态技术协会，标准开发商制定的标准。
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JEDEC DDR4
ddr4介绍
DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范JESD79 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL [
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