- 据记忆体市调机构DRAMeXchange最新报告显示，第3季初伺服器用记忆体整体市场需求仍未见回温，在需求端拉货力道不振下，即便原厂力守价格，代理商对市场信心依然持续减弱，并出现降价求售，使整体市场价格出现明显松动。
DRAMeXchange分析师刘家羽表示，由于PC端需求依旧疲软，标准型记忆体跌价幅度持续扩张，也使得伺服器用记忆体价格跌幅收敛受阻。
受DDR4跌价冲击，DDR3价格下杀幅度趋明显，7月底 8GB/16GB均价来到64与116美元，月跌幅达5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM DDR4
- 2015年4月8日，一年一度的英特尔信息技术峰会在深圳热烈开幕，澜起科技携基于全新DDR4内存接口套片的服务器平台亮相峰会现场。
去年9月，澜起科技DDR4内存接口套片在成功通过英特尔公司认证后，便成为亚洲第一家、国内唯一一家支持基于英特尔Xeon E5-2600 v3系列的服务器平台的企业。
M88DDR4RCD002是澜起科技推出的全球首颗第二代DDR4寄存时钟驱动器(RCD)芯片，其性能和速率均远超第一代DDR4 RCD芯片。一颗M88DDR4RCD02芯片可搭载九颗澜起的第二代DD
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澜起科技 DDR4
- 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形栅格阵列(BGA)内插器探测解决方案。DDR4 BGA 探头与示波器结合使用，可以让工程师调试和表征他们的 DDR4 内存设计，以及验证器件与 JEDEC DDR4 标准的一致性。
随着 DDR4 内存标准的发布，动态随机访问存储器(DRAM)的数据速率已提升至 3.2 Gb/s。存储器系统设计工程师正面临着较之以往更大的挑战，面向高数据速率的存储信号探测变得非常困难。最新的 Keysight DDR4 BGA 内插器
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是德科技 DDR4
- DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底，各大厂商纷纷上架DDR4内存产品，起跳频率达到2133MHz，标志着DDR3时代的终结。
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DDR4 DDR3
- 现行的DDR4及LPDDR4存储器都是以既有的DRAM设计为基础，其中许多技术已沿用长达十余年，而今无论是系统总频宽或中央处理器(CPU)等作业环境都不可同日而语。有鉴于此，发展新的解决方案为眼下业界的共识，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存储器标准遂成业界关注重点。
据ExtremeTech网站报导指出，过去近20年来存储器规格已从第一代的SDRAM DIMM发展至DDR4-3200，成长高达48倍。因此，现今业界虽针对是否应进一步以此标准定义DDR5有所争议，更多人却倾向发展新的存储
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SDRAM DDR4
- 台湾曾将DRAM视为支柱产业，但随着移动设备与物联网市场的火爆，需求朝向更小、更省电的方向，而非速度跟效率。若能掌握新趋势，未来台湾厂商在内存产业仍将大有可为。
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DRAM DDR4
- 相较前一代记忆体规格，第四代双倍资料率(DDR4)新增超过二十种功能，其中，采用循环冗余校验码(CRC)和立体矽堆叠(3DS)技术更是重大变革，前者可即时检测资料汇流排上的错误讯息，提升可靠度;后者对提升时序和功率效能则大有帮助。
随着标准不断演进，新一代记忆体规范通常着重于提升资料传输速率，其他方面仅略做调整，但第四代双倍资料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相时，便新增超过二十种功能，比先前DDR规格足足多一倍。
前几代的DDR规格创新，主要目标是提供更快速度或更广泛的应用，然而，
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DDR4 CRC
- 澜起科技在2014年的年初和年末分别经历了的强烈的指责以及年末并购案对公司利好的喜悦。那么除了这大喜和大悲之后，澜起科技在2014年同样还经历了二次增发成功的幸福，被做空股价动荡的苦恼，有收到私有化要约的震惊，有中间起起伏伏的波折，有节节高升的业绩，更有私有化成功的回归。
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中国芯 澜起科技 DDR4
- DRAM厂转进20纳米制程困难重重，业界传出美光(Micron)旗下的20纳米制程产品大量导入终端应用的时间点，会递延至2016年第1季，象征4GbDDR4成为主流的时间点也会延后。然而美光旗下华亚科表示，目前20纳米制程转进速度一切都如预期，年底会有8万片的12吋晶圆转进20纳米制程，资本支出不会改变。
日前传出韩系存储器厂25纳米制程的产品未过PCOEM客户认证，导致部分货源流入现货市场，这也代表进入先进制程技术后，产品认证的严格度大幅攀升，未来20纳米制程世代的问题更严重，转进20纳米制程
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DRAM DDR4 20纳米
- DRAM厂转进20纳米制程困难重重，业界传出美光(Micron)旗下的20纳米制程产品大量导入终端应用的时间点，会递延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成为主流的时间点也会延后。然而美光旗下华亚科表示，目前20纳米制程转进速度一切都如预期，年底会有8万片的12吋晶圆转进20纳米制程，资本支出不会改变。
日前传出韩系存储器厂25纳米制程的产品未过PC OEM客户认证，导致部分货源流入现货市场，这也代表进入先进制程技术后，产品认证的严格度大幅攀升，未来20纳米制程世代的问题更严重，转进20纳米
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DDR4 20纳米
- 动态随机存取记忆体(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常见的记忆体元件。在处理器相关运作中，DRAM 经常被用来当作资料与程式的主要暂存空间。相对于硬碟或是快闪记忆体(Flash Memory)，DRAM 具有存取速度快、体积小、密度高等综合优点，因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中，例如电脑、手机、游戏机、影音播放器等等。
自 1970 年英代尔(Intel)发表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 开始，随着半导
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DRAM DDR4
- 记忆体品牌威刚科技宣布，威刚XPG Z1 DDR4 3333超频记忆体搭配华硕(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主机板，以液态氮(LN2)超频，直达4255MHz CL17，缔造了全新纪录。
威刚长期与各大主机板厂合作，努力追求DDR4搭配Intel最新X99平台的最高效能。秉持坚强的研发实力，全新闪耀金色版的威刚XPG Z1 DDR4 3333MHz此次轻松突破4GHz大关，还达到了4255MHz CL17的超高频率与时序，证明了威刚XPG Z1 DDR4 3333超频记
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威刚 DDR4
- Altera公司今天宣布，在硅片中演示了DDR4存储器接口，其工作速率是业界最高的2，666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前业界唯一能够支持这一速率DDR4存储器的FPGA，存储器性能比前一代FPGA提高了43%，比竞争20 nm FPGA高出10%。硬件设计人员现在可以使用最新的Quartus® II软件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC设计中实现2，666 Mbps DDR4存储器数据速率。视频演示表明，鲁棒的存储器接口能够工作在2
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Altera FPGA DDR4
- 三星电子(Samsung Electronics)为迎接巨量资料(Big Data)时代的来临，将以资料储存半导体事业一决胜负，目标拟以DDR4 DRAM和3D V-NAND为基础的固态硬碟(SSD)列为核心产品。
据韩国Inews 24报导，总括负责三星半导体事业部的DS部门将扩编人力，在集团底下成立巨量资料中心，并依照产品分析消费者的喜好程度等，强化事业力量。
DDR4 DRAM相较于DDR3，待机电流减少30%、耗电量减少35%，是能源使用效率高的产品。资料传输速度也较DDR3快2倍
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三星 DDR4 SSD
- 以往每次内存更新换代的时候，Intel总是同时提供支持，主板厂商也会推出一些同时有两种插槽的板子，给大家更多选择，但是这一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(据说其实也支持DDR3但屏蔽了)，实在有点激进。
不过，Intel其实还有一个鬼点子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以让DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未来的LPDDR4共享一种接口规格，随便更换、升级。
Universal DIMM(U
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Intel DDR3 DDR4
ddr4介绍
DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范JESD79 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL [
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