我们知道，内存的性能不仅仅取决于频率高低，也要看延迟，甚至很多时候延迟的重要性要超过频率。芝奇此前就发布过DDR4-4000 CL15高频低延迟内存(单条8GB)，现在又带来了DDR4-3200 CL14，而且单条容量达32GB！新内存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三个系列中，单条容量统一都是32GB，搭载业界最高32Gb DDR4内存颗粒，提供双条共64GB、四条共128GB、八条共256GB三种套装，主流双通道
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芝奇 内存 DDR4
前不久紫光宣布在重庆投资数百亿建设DRAM内存研发中心及晶圆厂，最快2021年量产，这对国产芯片，尤其是内存来说是一个大事件。不过在紫光之前，我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的，他们比紫光做内存更早，该公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投资就高达72亿美元（约合494亿人民币），将建设一座月产能12.5万晶圆的内存厂，目前工厂建设已经进入了尾声，正在进行设备安装、调试阶段。最新消息显示，合肥长鑫的进展还跟顺利，已经提前进行机台安装，有望在Q4季度顺利量产国内第一批内存。根据合肥长鑫之前公
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合肥长鑫，DDR4
威刚Premier DDR4系列高端内存产品线今日全面升级单条32GB，桌面型的U-DIMM、笔记本型的SO-DIMM都有。
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内存 威刚 DDR4
目前轻薄本中常见两种内存，一种是LPDDR3，多出现在超轻薄笔记本中，不可更换；另一种是DDR4，常见于14英寸轻薄本或游戏本中，可更换。
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LPDDR3 DDR4
不过距离国产内存真正上市，还有很远的路要走，目前国产的DDR4内存正在后续的修正当中，只是到了研发的尾声，还要再完善一下。
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DDR4
谈到NAND闪存，或者说以它为代表的SSD产品，多数人对速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其实闪存芯片也有内部接口，LGA/BGA都有引脚，所以就有引脚带宽，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解为内频。 今晨结束的Flash Memory Summit(闪存技术峰会)的首日Keynote上，长江存储(Yangtze Memory Technology，YMTC)压轴出场，介绍了新的3D NAND架构Xtacking。 长江存储称，数据产生的能力和贮存能力的增长是
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长江存储 DDR4
国产内存制造商紫光国微在深交所互动平台上表示，目前国产DDR4内存芯片正在顺利研发中，紫光国微预计今年底就可以将DDR4内存颗粒推向市场。 之前紫光国微副总裁杜林虎已经表示，未来紫光国微会在DRAM存储器芯片产品方面加大投入，对于公司来说，DDR3内存芯片是主流，而DDR4芯片会在年内完成设计和生产。 紫光DDR4内存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM开发。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2个型号为“SCQ04
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紫光国微 DDR4
国家在强调制造升级，内存、闪存、处理器为代表的集成电路产业则是中国公司尚未大规模攻克的重点领域之一，此事也关乎大国崛起，没有拿得出手的高科技优势，中国制定的2025制造业目标就很难实现。
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DDR4 内存
还记得前段时间闹得沸沸扬扬的国产DDR4芯片的传闻吗?当时有消息称紫光旗下的半导体公司量产了国内首个DDR4内存，只是这事疑点重重，最后紫光官方也辟谣称目前并没有DDR4内存量产，相关产品正在研发中。
现在国产DDR4内存又来了，涉及的还是紫光旗下的西安国芯半导体，其官网页面明确提到了可以长期供应DDR3、DDR4在内的DRAM芯片和裸晶圆。
这次涉及国产DDR4的还是紫光集团的子公司紫光国芯，旗下拥有西安紫光国芯、深圳国微、紫光同创等公司。根据官网介绍，&ld
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紫光 DDR4
SK海力士近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4内存颗粒，不仅可以使用更少的芯片打造大容量内存条，还为单条256GB内存条铺平了道路。
16Gb乃至是32Gb DDR4颗粒其实并不罕见，SK海力士等早都有了，不过是用两颗或者四颗8Gb Die堆叠而成的，再造出16GB、32GB内存条。
但是，如此密集堆叠的内存颗粒和内存条十分复杂，比如64GB LRDIMM条子需要设置为四个Rank，128GB的更得八个Rank，结果导致延迟非常高，DDR4-2400/26
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SK海力士 DDR4
因为近期挖矿缘故，加之此前价格影响，内存需求已经降至冰点，春节前回暖的可能性不大，只能寄希望于2月份年后的传统旺季了。
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内存 DDR4
最近，一张印有紫光国芯(UniIC)LOGO 的内存条出现在了网络上，有人称这就是紫光自主研发的 DDR4 内存。一开始大家还不太相信图片的真实性，因为贴纸上出现了 PC3-12800U 的字样，对应的其实是 DDR3 1600 内存。但是近日紫光官方竟然主动承认了，他们表示这虽然不是真的，但是紫光确实有相关的计划。
近日，紫光国芯在全景网投资者互动平台上发出了正式回应，他们表示上述关于 DDR4 产品的报道并不确切，但是公司现在确实在开展 DDR4存储芯片和模组的设计与开发工作，而按照计划，该
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紫光 DDR4
抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。
DRAM市场表现强劲，IC Insights预估，2017年DRAM市场将激增74%，为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别，产值高
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DRAM DDR4
内存价格持续上涨了几乎两年的时间，对于接下来的内存行情，经销商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情继续横盘，恐怕依然会有很大的震荡，关键就看DDR4颗粒供应紧张能否有所改善了。
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内存 DDR4
ddr4介绍
DDR 又称双倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一种高速CMOS动态随即访问的内存美国JEDEC 的固态技术协会于2000 年6 月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范JESD79 由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL [
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