- 中国 北京，2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化
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Qorvo 1200V SiC模块 SiC
- 德国纽伦堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。SCALE-iFlex LT NTC驱动器可提供负温度系数
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- 致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模块和NCP51561隔离式双通道栅极驱动器的5KW工业电源方案。图示1-大联大世平基于onsemi SiC模块的5KW工业电源方案的展示板图工业用电在全社会电力消耗中占有很大比重，因此在节能减排的大背景下，提升工业电源的转换效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由于工业应用一般都具有较高的耗能需求，因此大都采用交流380V或交流480V的电源供电。在如此
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- 针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法，并提供了具体的估算公式。以30 kW DC/DC变换器为研究对象，对功率模块在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性，还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
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