- 台积电利用其自身先进的制程优势，正在积极推动新型存储产业的发展。
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MRAM
- M 是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于 DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利第一，2002 年三星宣布研发 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对 MRAM 的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的 MRAM 研发逐渐走向低调。20
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MRAM
- 多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
- 据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ
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功耗 三星 MRAM
- 近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。新一代嵌入式内存具有小体积、大容量、高效能等特性，可以满足庞大运算需求，
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工业储存 MRAM
- 在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
- 全球电子元器件与开发服务分销商 e络盟 新近发布名为《AIoT时代——AIoT发展背景、功能与未来》的电子书，旨在为专业工程师、创客和电子爱好者提供人工智能相关专业知识，助力他们更加顺利地进行人工智能应用开发并开拓出更多新型市场应用。本册电子书汇集了人工智能详细路线图和类别，阐释了人工智能、机器学习（ML）和深度学习（DL）之间的关系，并详细介绍了神经网络相关技术。书中还向读者推荐了数款适用于首次进行人工智能物联网方案开发的优质平台。人工智能和物联网将彻底改变人类的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
- 全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM为非挥发性存储器技术，断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失，是“不失忆”的存储器。其结构如三明治，上层是自由翻转的铁磁层，可快速处理数据，底层则是钉锁住的铁磁层，可用作存储数据，两层中则有氧化层隔开。 其
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MRAM DRAM
- 据报道，三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局，因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。 三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。 这种解决方案无需在数据记录期间擦除数据，并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示，由于它在断电时保存了存储的数据，并且不使用额外的备用电源，所以它的功耗也很
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MRAM 三星
- 在第 64 届国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式 MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。 MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式随机存取存储)，是一种非易失性存储技术，从 1990
年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非挥发性，容量密度及使用寿命不输 DRAM，但平均能耗远低于
DRAM，而且基本上可以无限次地重复写入。 英特尔曾表示其嵌入式 MRAM 技术可在200℃下实
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英特尔 MRAM
- 联华电子今(6日) 与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻RAM)领导者美商Avalanche共同宣布，两家公司成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式内存的磁阻式随机存取内存(MRAM)。同时联华电子也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司。 联华电子根据此合作协议，于28纳米CMOS制程上提供嵌入式非挥发性MRAM区块供客户将低延迟、超高效能及低功率的嵌入式MRAM内存模块整合至应用产品，并锁定在物联网、穿戴装置、消费型产品，以及工业、车用电子市场的微控制器(MCU)和系统单芯片(So
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联华电子 MRAM 28纳米
- 近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年
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嵌入式存储器 MRAM eRRAM 物联网
- 半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。 应用材料公司为实现 STT MRAM 的制造提供了多项重要创新，包括基于Endura® 平台上的PVD创新以及特别的蚀刻技术。利用这些新技术并借助梅丹技术中心的设施来加工并测试器件阵列，我们验证了 STT MRAM 的性能和可扩展性。 如今，除了逻
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STT MRAM
- MRAM新创公司STT开发出一种存储器专有技术，据称可在增加数据保持的同时降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。这种新式的“岁差自旋电流”(PSC)储存结构将在MRAM市场扮演什么角色?它能成为加速MRAM市场起飞的重要推手吗? 磁阻式随机存取存储器(Magnetic RAM;MRAM)新创公司Spin Transfer Technologies (STT)最近开发出MRAM专用技术，据称能以同步提高数据保持(retention)与降低电流
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MRAM SRAM
- 汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据，以作将来检索用途。 目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器，如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器)，MRAM
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MRAM FRAM
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