- 意法半导体(ST)宣布基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化，并将此技术应用在通用32位MCU市场领先的STM32系列MCU产品。
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意法半导体 MCU FD-SOI STM32
- 在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键区别在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸，导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路（例如同轴电缆或微带线），并定义波量a和b，如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在可以使用这些量来定义电压反射系数Γ，它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值：反射系数也可以
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ADI RF 波反射
- 罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列（Sony）合作，达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业首次里程碑。他们还成功验证了基于PCT的测试用例。两项工作都有助于NTN NB-IoT技术的市场就绪。在2024年巴塞罗那世界移动通信大会上，罗德与施瓦茨将在其展台上展示与Sony的Altair NTN Release 17 IoT设备一起进行NTN NB-IoT测试的实时演示。与Sony的合作中，罗德与施瓦茨成功验证了Sony的Altair设备的NTN NB-IoT功能。使用罗德与施瓦
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罗德与施瓦茨 索尼 3GPP Rel. 17 NB-IoT RF
- 就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从什么时候开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮
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雷达 RF 氮化镓 相控阵
- 『这个知识不太冷』系列，旨在帮助小伙伴们唤醒知识的记忆，将挑选一部分Qorvo划重点的知识点，结合产业现状解读，以此温故知新、查漏补缺。在过去十年中，移动无线数据快速增长，使得运营商愈加迫切地需要新频段和新技术，以满足用户对无线数据容量的需求。这种需求不仅推动了无线技术的发展，也增加了对增强型射频(RF)滤波器技术的需求，以帮助减少系统干扰，扩大RF覆盖范围，增强接收器性能，并提升共存特性。本篇内容将介绍RF滤波器的工作原理，以及如今的应用中使用的各种技术版本。首先介绍关于滤波器的一些基本实情，以及它们带
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Qorvo RF 滤波器
- IT之家 12 月 19 日消息，射频芯片制造商美国威讯联合半导体有限公司（Qorvo）宣布，与立讯精密建立战略合作伙伴关系并达成最终协议，向后者出售位于北京和山东德州的组装和测试工厂，预计明年上半年完成交易。据IT之家了解，交易完成后，立讯精密将接管上述工厂的运营和资产，包括物业、厂房、设备与现有员工。威讯联合半导体将保留在中国的销售、工程和客户支持员工，继续为客户提供服务。立讯精密将根据新签订的长期供应协议为威讯联合半导体组装和测试产品。威讯联合半导体首席财务官格兰特・布朗（Grant Br
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Qorvo RF
- 受到美国政府的干扰，中国半导体产业发展遇到了诸多困难，同时也给原来没有得到足够关注的技术或企业提供了很好的发展机遇，SOI（绝缘体上硅）制程工艺就是其中之一。2019 年之前，当先进制程工艺演进到 10nm 时，当时昂贵的价格，以及漏电流带来的功耗水平偏高问题，一直是业界关注的难题，SOI 正是看到了 FinFET 的这些缺点，才引起人们关注的，它最大的特点就是成本可控，且漏电流非常小，功耗低。在实际应用中，SOI 主要分为 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）和 RF-SOI（射频绝缘体上硅）。FD-SO
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SOI
- 国际电信联盟(ITU)将433.92 MHz工业、科学和医学(ISM)频段分配给1区使用，该区域在地理上由欧洲、非洲、俄罗斯、蒙古和阿拉伯半岛组成。尽管最初旨在用于无线电通信之外的应用，但多年来无线技术和标准的进步使得ISM频段在短距离无线通信系统中颇受欢迎。ITU 1 区的运营商无需为使用433.92 MHz频段获得许可，常见应用包括软件定义无线电、医疗设备和重型机械的工业无线电控制系统。在美国，433.92 MHz频段由获得许可的业余无线电台使用。任何无线电传输应用都需要高增益放大器来驱动天线。根据应
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无线电通信 ITU RF 放大器 电源管理
- 混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注，一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车，它还适用于更常见的内燃机汽车。汽车应用 48V 电网48V 系统有何独特之处？与在常规的供电条件下一样，48V 系统归根到底仍然遵循欧姆定律和基础物理学规律，与电势差 (V = IR)、电功率 (P = IV) 及功率损耗 (P = I2R) 相关。供电仍需要电流与电压的结合，但电势差（损耗）随电流
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Power-SOI Soitec
- 车用连接器的主要作用，就是在车载电路系统中实现可靠的物理连接，使电路可以实现预定的功能。对于汽车而言，车用连接器是必不可少的基础元器件，事实上汽车领域已经成为连接器应用最广泛的市场之一。随着汽车智能化进程的迅速深入，高级辅助驾驶系统（ADAS）、车联网（V2X）、车载信息娱乐系统等新型智能技术的渗透率正快速提升，并且智能驾驶体系正向着L3级（有条件自动驾驶）不断迭代。在这样的大趋势下，车用传感器（摄像头、毫米波雷达和激光雷达等）的用量显著增加，数据传输要求水涨船高，因而ADAS等系统需要配备更高带宽的传输
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Mouser Amphenol RF FAKRA 车用连接器
- 中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
- 本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模拟器来预测和优化下一代 GPU 的电源行为，其中高转换率要求和超过 1,000 A 的电流水平需要更快的瞬态响应。如今，图形处理单元 (GPU) 具有数百亿个晶体管。随着每一代新一代 GPU 的出现，GPU 中的晶体管数量不断增加，以提高处理器性能。然而，晶体管数量的增加也导致功率需求呈指数增长，这使得满足瞬态响应规范变得更加困难。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模拟器来预测和优化下一
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POI RF 滤波器
- RF复杂测试对测试设备提出更高需求无线通信系统的不断更新产生了对先进RF测试设备的需求，以满足这项新技术的复杂测试要求。这些测试设备需要能够处理更高的频率、更宽的带宽和更复杂的调制方案。 波束成形：使用先进的波束成形技术来提高信号强度和质量。多通道测试应侧重于测试系统的波束成形能力，包括波束控制、波束跟踪和波束成形算法性能。 大规模MIMO：大规模MIMO技术涉及使用大量天线来提高信号质量和容量。多通道测试应侧重于测试大规模MIMO系统的性能，包括天线放
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宽带多通道 调试信号分析 RF 测试 泰克
- 过去十年，天线调谐技术领域发生了巨大变化。天线变得更小、性能更强，能处理更多的射频信号。这些发展的核心是绝缘硅片 (SOI) 技术——它提供的调谐能力提高了设计灵活性，并大幅改善了性能。复杂射频世界中的器件性能有时候，科技似乎在飞速发展，日新月异——产品变得越来越小，处理速度越来越快，我们的世界刹那间便不同以往。移动设备的天线也是如此。支持许多频段的更小移动设备使得天线更加复杂。对于工程师而言，这种复杂性也是需要攻克的障碍。与此同时，技术开发工程师每推出一代新技术，都会做出渐进式改进，通过这种持续改善来帮
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Qorvo SOI
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布，将与AMD合作展示面向5G有源天线系统（AAS）无线电的完整RF前端解决方案。全新RF前端与经实地验证的AMD Zynq® UltraScale+™ RFSoC数字前端OpenRAN无线电（O-RU）参考设计相搭配，包含RF开关、低噪声放大器，和前置驱动器，提供了一套完整的解决方案，以满足不断增长的移动网络基础设施市场需求。该参考平台将于2月27日至3月2日在西班牙巴塞罗那举行的世界移动通信大会AMD展台（2展厅，#2M61展位）进行展示。全新5G设计平
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瑞萨 AMD 5G有源天线 RF 数字前端
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