- IT之家 12 月 12 日消息,国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术,全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”,可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场,国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能,提高了功率模块的电流密度以及开关频率,降低了开关损耗和导通损耗,减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸,最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装,半桥拓扑
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国星光电 碳化硅 NS62m MOSFET
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