摘要：驾驶着进取号电子飞船，从发射区进入充满黑洞的基区，一些同伴被黑洞束缚，一些掳去另一世界，你幸运地躲过一劫飞到集电结，受到强大的吸力快速渡越出集电区，漫游在低阻导线上，松了一口气。然而前路不如你所愿地一帆风顺，阻力重重的负载中到处碰壁…… 古人学问无遗力，少壮工夫老始成。若问硬件速成法，犹似浮沙立大厦。千万别认为看后就能成为高手，当然笔者亦非高手，水滴石穿又岂是朝夕之功!谨以过往经历和拙见与在校学生朋友和刚工作的工程师分享共勉。 理论学习 没有满腹经纶，何能出口成章。但觉得书海茫茫，不知从何
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仿真 JFET
结构与符号：
在N区两侧扩散两个P+区，形成两个PN结。两个P+区相连，引出栅极g。N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。 导电原理：
(1)VGS=0时，N型棒体导电沟道最宽(N型区)。有了VDS后，沟道中的电流最大。 (2)VGS<0时，耗尽层加宽(主要向沟道一测加宽)，并向沟道中间延伸，沟道变窄。 当VGS
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JFET
由于具有较低的偏置电流，人们经常选用CMOS和JFET运算放大器。然而你应该意识到，这个事实还与很多其它的原因相关。 CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来实现。图1a中的OPA320就是一个例子。这些二极管会存在大约几皮安的漏电流。当输入电压大约达到电源轨中间值的时候，漏电流匹配的相当好，仅仅会存在小于1皮安的残余误差电流
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CMOS JFET
一、场效应管的工作原理- -概念
场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。
二、
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场效应管 MOS JFET 场效应管工作原理
当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏极电流，VGS是栅源电压，be
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电路 简单 特性 JFET 确定
很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器R1后，电压基准电路IC ...
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JFET 恒定 精确电流源
在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
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英飞凌 SiC JFET
用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。
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Power Integrations SiC二极管 JFET
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 OPA653 与 OPA659 JFET 输入运算放大器，其可实现3 倍于同类竞争产品的 2675 V/us 压摆率，从而可显著提高脉冲响应。上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗 JFET 输入级完美结合，可通过其高频率带宽和低总谐波失真充分满足频率域与 FET 分析的需求。
OPA653 与 OPA659 的主要特性与优势
业界最佳的压摆率与低失真可提高时间域和脉冲型应用的信号完整性：
o OPA653 是一款具有 2675
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TI 运算放大器 JFET
jfet介绍
最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也称JFET。
什么是 JFET
一种单极的三层晶 [
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