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埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管

  • 新一代光子检测器可为基于光纤的高端电信测试和分析设备应用提供高速、高增益和低噪音性能提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛力达科技有限公司(Excelitas Technologies® Corp.)近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管。这款新品将高增益和快速恢复时间以及低噪音性能独特地结合在一起,成为高端电信测试设备应用、光通信和分布式光纤传感系统以及对人眼安全的LiDAR/激光测距设备的理想解决方案,尤其适用于智能城市和智能工厂。埃赛力达C30733BQC
  • 关键字: 埃赛力达  InGaAs  雪崩光电二极管  APD增益  

埃赛力达推出全新C30733BQC-01型InGaAs雪崩光电二极管,APD增益高达40倍

  • 提供以市场为导向的创新化光电解决方案工业技术领导者——埃赛力达科技有限公司(Excelitas Technologies® Corp.)近期推出了C30733BQC-01 InGaAs雪崩光电二极管。这款新品将高增益和快速恢复时间以及低噪音性能独特地结合在一起,成为高端电信测试设备应用、光通信和分布式光纤传感系统以及对人眼安全的LiDAR/激光测距设备的理想解决方案,尤其适用于智能城市和智能工厂。埃赛力达C30733BQC-01雪崩光电二极管采用独特的芯片设计,性能先进,典型的操作增益高达40,在需要10
  • 关键字: 埃赛力达  InGaAs  雪崩光电二极管  APD增益  

2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

  • 对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6 μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
  • 关键字: InGaAs  APD  InP  低噪声    
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