厦门工程师征集令|NXP工业与物联网会等你来
TI MSPM0实战动手系列活动等你来开启
设计指南|电机驱动系统中SPM31智能功率模块
文档|IGBT与SiC开关特性受杂散电感影响分析
我要投稿
|
手机版
技
术
嵌入式
模拟
电源
LED
智能
元件/连接器
EDA/PCB
测试测量
RF/微波
物联网
应
用
汽车
工控
消费
医疗
光电
手机/便携
安防
通信
网络
互
动
论坛
博客
功
能
下载
在线研讨会
EETV
电路图
首页
资讯
商机
下载
拆解
高校
招聘
杂志
会展
EETV
百科
问答
电路图
工程师手册
Datasheet
100例
活动中心
E周刊阅读
样片申请
EEPW首页
>>
主题列表
>> finfet工艺
finfet工艺
文章
进入finfet工艺技术社区
Xilinx 16nm UltraScale+实现2至5倍的性能功耗比优势
台积公司的16nm FinFET工艺与赛灵思最新UltraRAM和SmartConnect技术相结合,使赛灵思能够继续为市场提供超越摩尔定律的价值优势。赛灵思凭借其28nm 7系列全可编程系列以及率先上市的20nm UltraScaletrade;系列,
关键字:
FinFET工艺
ULTRASCALE
赛灵思
共1条 1/1
1
finfet工艺介绍
您好,目前还没有人创建词条finfet工艺!
欢迎您创建该词条,阐述对finfet工艺的理解,并与今后在此搜索finfet工艺的朋友们分享。
创建词条
热门主题
树莓派
linux
关于我们
-
广告服务
-
企业会员服务
-
网站地图
-
联系我们
-
征稿
-
友情链接
-
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052 京公网安备11010802012473