全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受欢迎的CMOS传感器工艺平台XS018（180纳米）上开放了背照（BSI）功能。BSI工艺截面示意图通过BSI工艺，成像感光像素性能将得到大幅增强。这一技术使得每个像素点接收到的入射光不会再被后端工艺的金属层所遮挡，从而大幅提升传感器的填充比，最高可达100%。由于其能够获得更高的像素感光灵敏度，因而在暗
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X-FAB 图像传感器 背照技术 CMOS传感器
12月22日，科创板上市公司格科微（688728.sh）成功举办以“Fab-Lite新模式·引领中国芯未来”为主题的20周年庆典暨临港工厂投产仪式，及2023年产品推介会暨CEO交流会。图1 格科微20周年庆典暨临港工厂投产仪式.JPG以让世界看见中国的创新为使命，格科微经过二十年的发展，成功实现了从Fabless到Fab-Lite的战略转型，迎来了历史最佳的经营局面。值此良机，格科微高端产品再传佳讯，公司推出三款全新单芯片高阶产品，为未来加速核心技术产品化，迈向崭新的发展阶段奠定了基础。整个活动，政府领
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Fab-Lite 格科微 5000万像素 图像传感器
据临港新片区管委会官网披露文件显示，日前，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目城镇污水排入排水管网许可顺利获批。据悉，中芯国际临港12英寸晶圆代工生产线项目由中芯国际和中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管理委员会合作规划建设。根据协议，双方共同成立合资公司，规划建设产能为10万片/月的12英寸晶圆代工生产线项目，聚焦于提供28纳米及以上技术节点的集成电路晶圆代工与技术服务。据中芯国际发布的公告显示，该项目计划投资约88.7亿美元（折合人民币约573亿元），这也是中芯国际在上海的第一个按照Twin Fa
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中芯国际 12英寸晶圆 代工厂 Twin Fab
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程，在保持同样低的本底噪声水平的同时，显著增强信号，而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品，成功丰富了其SPAD产品的选择范围，提升了解决众多视近红外
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X-FAB 近红外 SPAD
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后，现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活，从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点，非常适合制造车用传感器和高压工
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X-FAB 电隔离解决方案
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，进一步增强其在射频（RF）领域的广泛实力。公司在欧洲微波展（9月17至22日，柏林）举办前夕推出XIPD工艺；参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员（位于438C展位）就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层，让客户能够在其器
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X-FAB 无源器件 晶圆代工厂
中国北京，2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能，使其能够轻松获得具有磷化铟（InP）和铌酸锂（LNO）异质集成能力的低损耗氮化硅（SiN）与绝缘体上硅（SOI）光电子平台。在此过程中，模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牵头发起一项战略倡议，旨在推
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X-FAB 硅光电子 PhotonixFab 光电子
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
近期，一众国内厂商扩产、量产碳化硅的消息频繁发布。如博世收购了美国半导体代工厂TSI以在2030年底之前扩大自己的SiC产品组合；安森美半导体考虑投资20亿美元扩产碳化硅芯片；SK集团宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式量产碳化硅，产能将扩大近3倍。除此之外，据外媒报道，日本半导体巨头瑞萨和德国晶圆代工厂X-FAB也于近日宣布了扩产碳化硅的计划。其中，瑞萨电子将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC）来降低损耗的下一代功率半导体产品。报道指出，按照计划，瑞萨电子拟在目
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全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布，将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台，进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所（IHP）的长期合作关系。作为新协议的一部分，X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权，将这一技术的性能优势带给大批量市场的客户群体。130纳米SiGe BiCMOS平台新创建的130纳米平台显著加强了X-FAB的技术组合，提供了独特的解决方案，达到满足下一代通信要求所需的更高
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近年来，受到全球半导体产能短缺、新冠疫情以及季节性需求等因素的影响，存储器件的价格呈现出较大的波动态势。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行业分析机构的分析师都预测了半导体产能的短缺将持续整个2022年，甚至更长。根据WSTS的数据分析，2022年全球存储器件市场的规模将达到1716.82亿美元，较之前预估的2022年增加135.21亿美元，同比增长将会达到8.5%。 图 | WSTS的电子元器件市场预测（2021年11月）图源：WSTS&nbs
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基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布已完成收购Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此举可助力公司实现宏伟的增长目标和投资，进一步提高全球产能。通过此次收购，Nexperia获得了该威尔士半导体硅芯片生产工厂的100%所有权。Nexperia Newport将继续在威尔士半导体生态系统中占据重要地位，引领新港地区和该区域其他工厂的技术研发。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圆代工服务的客户，并于2019年通过投资Neptune 6 Limite
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GlobalFoundries 从新 CEO 上任以来，大刀阔斧进行改革，宣布退出全球高端技术的开发，又将新加坡 8 寸厂 Fab 3E 卖给台积电旗下的世界先进后，业界再度点名“下一刀”，是为购自 IBM 的纽约 12 寸厂寻找买家。据传美系 IDM 大厂有兴趣，看来新任 CEO 这把削减成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 经历大改革后可否涅槃重生值得关注。Thomas Caulfield 接替任职逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在不断增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术，现已变得更具性价比。此外，随着市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也越来越具有吸引力。 功率半导体(如二极管和MOSFET)可以通过几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管可以实现短得多的反向恢复时间，从而实现更快的开关。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。此外，其反向恢复电荷要少很多，从而可降低开关损耗。就其本身
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半导体FAB厂 FAQ100问影响工厂成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体hellip; Labor
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半导体 FAB
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