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Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片
- 这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计，坚定客户对Dolphin Design产品的信心，再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日，法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权（IP）以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
- 关键字： Dolphin Design 12纳米 12nm FinFet 成功流片
晶体管进入纳米片时代
- 3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。
- 关键字： FinFET
Intel 4制程技术细节曝光 具备高效能运算先进FinFET
- 英特尔近期于美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会，公布Intel 4制程的技术细节。相较于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能组件库（library cell）的密度则是2倍，同时达成两项关键目标：它满足开发中产品的需求，包括PC客户端的Meteor Lake，并推进先进技术和制程模块。 英特尔公布Intel 4制程的技术细节。对于英特尔的4年之路，Intel 4是如何达成这些效能数据？ Intel 4于鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸（Critic
- 关键字： Intel 4 制程技术 FinFET Meteor Lake
为技术找到核心 多元化半导体持续创新
- 观察2021年主导半导体产业的新技术趋势，可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类，第一类是独立电子、计算机和通讯技术，基础技术是CMOS FinFET。在今天，最先进的是5奈米生产制程，其中有些是FinFET 架构的变体。这是大规模导入极紫外光刻技术，逐步取代多重图形光刻方法。 图一 : 半导体的创新必须能转化为成本可承受的产品。我们知道，目前三星、台积电和英特尔等主要厂商与IBM 合作，正在开发下一代3/2奈米，在那里我们会看到一种新的突破，因为他们最有可能转向奈米片全环绕
- 关键字： CMOS FinFET ST
新思科技与GF合作为12LP+FinFET解决方案开发DesignWare IP产品组合
- 要点： 用于GF 12LP+解决方案的DesignWare IP核产品组合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 两家公司之间的长期合作已成功实现了DesignWare IP核从180纳米到12纳米的开发，可应用于广泛领域新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）今日宣布与GLOBALFOUNDRIES®（GF®）开展合作，开发用于G
- 关键字： 新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
finfet介绍
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，闸长已可小于25奈米，未来预期可以进一步缩小至9奈米，约是人类头发宽度的1万分之1。由于此一半导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-ef [ 查看详细 ]
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