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fd-soi 文章 进入fd-soi技术社区

意法半导体为MCU开启FD-SOI时代

  • 意法半导体(ST)宣布基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺,支持下一代嵌入式处理器升级进化,并将此技术应用在通用32位MCU市场领先的STM32系列MCU产品。
  • 关键字: 意法半导体  MCU  FD-SOI  STM32  

SOI芯片热潮再起,中国市场信心大增

  • 受到美国政府的干扰,中国半导体产业发展遇到了诸多困难,同时也给原来没有得到足够关注的技术或企业提供了很好的发展机遇,SOI(绝缘体上硅)制程工艺就是其中之一。2019 年之前,当先进制程工艺演进到 10nm 时,当时昂贵的价格,以及漏电流带来的功耗水平偏高问题,一直是业界关注的难题,SOI 正是看到了 FinFET 的这些缺点,才引起人们关注的,它最大的特点就是成本可控,且漏电流非常小,功耗低。在实际应用中,SOI 主要分为 FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)和 RF-SOI(射频绝缘体上硅)。FD-SO
  • 关键字: SOI  

意法半导体车规电源管理IC集成CAN FD和LIN收发器

  • 意法半导体的SPSB081车规电源管理IC 的功能非常丰富,堪称车规电源管理芯片中的瑞士军刀,片上集成一个固定电压的主低压差稳压器 (LDO)、一个可配置的辅助 LDO稳压器、四个高边驱动器、一个 CAN FD 收发器和一个选配LIN 收发器。该系列电源管理芯片有多个静态电流很小的待机模式和可配置的本地或远程唤醒功能,有助于最大限度地降低系统功耗。片上集成的电源和收发器有助于简化车身控制器设计,适用于天窗、座椅、尾门、车门和照明模块。这些控制器的
  • 关键字: 意法半导体  电源管理IC  CAN FD  LIN收发器  

电路笔记CN-0401

  • Circuits from the Lab®参考设计是经过测试的参考设计,有助于加速设计,同时简化系统集成,帮助解决当今的模拟、混合信号和RF设计挑战。如需更多信息和/或技术支持,请访问:www.analog.com/CN0401。连接/参考器件ADM3055E5   kV rms信号和电源隔离CAN收发器,适用于CAN FD具有可切换端接和远程唤醒功能的隔离信号和电源CAN FD评估和设计支持电路评估板CN-0401电路评估板(EVAL-ADM3055E-ARDZ)超低功耗Arduino尺寸开
  • 关键字: 隔离信号  CAN FD  ADI  

解决 48V 电网及 FuSa 难题, Power-SOI 推动智能功率器件创新

  • 混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注,一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车,它还适用于更常见的内燃机汽车。汽车应用 48V 电网48V 系统有何独特之处?与在常规的供电条件下一样,48V 系统归根到底仍然遵循欧姆定律和基础物理学规律,与电势差 (V = IR)、电功率 (P = IV) 及功率损耗 (P = I2R) 相关。供电仍需要电流与电压的结合,但电势差(损耗)随电流
  • 关键字: Power-SOI  Soitec  

X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案

  • 中国北京,2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂,由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起,因此与传统Bulk BCD工艺相比,高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
  • 关键字: X-FAB  110纳米  BCD-on-SOI  

攻克复杂性障碍:下一代 SOI 天线调谐

  • 过去十年,天线调谐技术领域发生了巨大变化。天线变得更小、性能更强,能处理更多的射频信号。这些发展的核心是绝缘硅片 (SOI) 技术——它提供的调谐能力提高了设计灵活性,并大幅改善了性能。复杂射频世界中的器件性能有时候,科技似乎在飞速发展,日新月异——产品变得越来越小,处理速度越来越快,我们的世界刹那间便不同以往。移动设备的天线也是如此。支持许多频段的更小移动设备使得天线更加复杂。对于工程师而言,这种复杂性也是需要攻克的障碍。与此同时,技术开发工程师每推出一代新技术,都会做出渐进式改进,通过这种持续改善来帮
  • 关键字: Qorvo  SOI   

大联大友尚集团推出基于CVITEK和SOI产品的网络摄像机(IPC)方案

  • 致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于晶视智能(CVITEK)CV1821芯片和晶相光电(SOI)JX-K06图像传感器的网络摄像机(IPC)方案。图示1-大联大友尚基于CVITEK和SOI产品的IPC方案的展示板图近年来,消费电子、物联网、工业互联网、智能家居、智慧城市的发展,推动了智能监控技术的革新,也驱动了IPC(网络摄像机)的需求。相比于传统摄像机,IPC不仅能够提供更高清晰度的视频效果,还具有网络输出接口,可直接将摄像机接入本地局域网。这些特性使其
  • 关键字: 大联大友尚  CVITEK  SOI  网络摄像机  

意法半导体CAN FD Light多像素驱动器助力下一代汽车照明设计

  • 意法半导体的L99LDLH32线性稳流器为使用轻量级 CAN FD Light 协议控制动态汽车照明提供了一个简便的集成解决方案。OLED 灯可以从很小的表面发射明亮、均匀和高对比度的光线,新驱动器与OLED完美匹配,让设计师能够创造复杂的图案和光效,增强汽车的安全性和外观设计视觉效果。L99LDLH32有32个可在1mA至15mA范围内独立编程的稳流电源,可以单独驱动车内外灯具的每个像素,还提供8 位分辨率的整体调光功能。当用车辆电池电压供电时,驱动器最高输出电压35 V,覆盖较宽的发射极正向
  • 关键字: 意法半导体  CAN FD Light  多像素驱动器  汽车照明设计  

ST和GlobalFoundries在法国Crolles附近的新工厂联合推进FD-SOI

  • 意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录,将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点,包括FD-SOI。ST和GF预计,该晶圆厂将于2024年开始生产芯片,到2026年将达到满负荷生产,每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles,距离意大利边境不远,长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看,FD-SOI是一种技术含量较低的方法,可以实现FinF
  • 关键字: FD-SOI  GAAFET  FinFET  

瑞萨电子推出5V高性能RX660 32位MCU,为家电和工业应用提供卓越的噪声容限

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出RX 32位MCU产品家族的新成员——RX660微控制器(MCU)产品群。新产品支持5V工作电压,为暴露在高电磁干扰下的家用电器和工业设备提供卓越的噪声容限。RX660作为瑞萨高端RX通用MCU产品中首个支持5V的器件,也是RX产品家族中首款内置CAN FD控制器的器件,可实现高速数据通信。全新RX660 MCU的高工作电压可以省去目前许多3V MCU所需的外部噪声抑制元件,让用户能够减少开发时间与元件成本,提高系统质量。近年来,由于功能安
  • 关键字: 瑞萨电子  32位  MCU  CAN FD  

意法半导体和格芯将在法国新建12英寸晶圆厂,推进 FD-SOI 生态系统建设

  • ·      随着世界经济向数字化和脱碳转型,新的高产能联营晶圆厂将更好满足欧洲和全球客户需求·      新工厂将支持各种制造技术,包括格芯排名前列的 FDX™ 技术和意法半导体针对汽车、工业、物联网和通信基础设施等应用开发的节点低至18纳米的全面技术·      预计该项合作投资金额达数十亿欧元,其中包括来自法国政府的大笔财政支持 2022 年
  • 关键字: 意法半导体  12英寸  晶圆厂  FD-SOI  

CEA、Soitec、格芯、意法半导体携手推动下一代FD-SOI技术发展规划

  • CEA、Soitec、格芯(GlobalFoundries)和意法半导体宣布一项新合作协议,四家公司计划联合制定产业之下一代FD-SOI技术发展规划。半导体组件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有策略价值。FD-SOI能够为设计人员和客户系统带来巨大益处,包括更低功耗以及易于整合更多功能,例如,通讯联机和安全保护,这对汽车、物联网和行动应用而言,其优势是FD-SOI技术的一个重要特质。CEA主席Francois Jacq表示,二十多年来,在Grenoble-Crolles生态系统中,CEA一
  • 关键字: CEA  Soitec  格芯  意法半导体  FD-SOI  

田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真

  • 介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片,经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计,有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影响,并提高了Z轴的灵敏度。通过差分电容的设计,理论上消除了交叉轴干扰。通过仿真得到了该加速度计在3个轴向上的灵敏度及抗冲击能力。结合理论分析和ANSYS仿真结果,可以得出结论:所设计的加速度计拥有较低的交叉轴干扰、较高的灵敏度以及较强的抗冲击能力,在惯性传感器领域有一定的应用前景。
  • 关键字: 微加速度计  SOI  交叉轴干扰  灵敏度  

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管,具有行业领先的ESD性能

  • 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装,带有可湿锡焊接侧焊盘,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准,同时提供行业领先的ESD和RF性能,节省了PCB空间。 Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少
  • 关键字: Nexperia  CAN-FD  保护二极管  
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