自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
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SK海力士 AI DRAM
AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
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存储器 DRAM TrendForce
IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时，美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产，但得
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DRAM 闪存 美光
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
怎么证明企业对某个市场的未来充满信心？频繁来华喊口号还是推定制芯片？一边提升销售预期一边减少研发团队？或者是缩减产能加大宣传力度？商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意，对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日，美光科技举办了新厂房动工奠基仪式，宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工，该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉，这个项目除了加建新厂房，还会引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，例如移动DRAM、N
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美光 DRAM
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
据 IDC 预测，从 2021 年到 2027 年，作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念，但数字孪生技术从精确传感到实时计算，再到将海量数据转为深度洞察，从多方面进一步推动了设备和运营系统优化，从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外，启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷，实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战，就能意识到内存与存储对于实现数字孪
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数字孪生 DRAM 机器学习
三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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三星 内存 DRAM 芯片 美光
韩国存储器大厂SK海力士透露，因市况好转，考虑在第一季增产部分特殊DRAM，市场担心稼动率回升，破坏以往存储器大厂减产提价共识，恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价，包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等，股价跌幅逾2％，表现较大盘弱势。惟业界人士认为，包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能，多往1-alpha／beta先进制程升级，以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器（HBM）需求，预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。PC
DRAM方面，由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，然受到机种逐渐升级至DDR5影响，对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过，由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标，加上买方仍可接受第一季续涨，故预估整体PC
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存储厂商 DRAM TrendForce
1月1日消息，据供应链最新消息称，SSD产品九个季度以来首次上涨，而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示，2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元，皆较前一季度（2023年7-9月）上涨9%，也都是九个季度以来（2021年7-9月以来）首度上涨。自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
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SSD 涨价 DRAM
12月22日消息，据报道，Adroit Market Research预计，全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长，到2032年将达到1530亿美元，2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示，半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B，复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明，到2022年，每辆汽车的半导体器件价值约为540美元，在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下，到2028年，该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
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汽车电子 半导体 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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