- 中国芯片制造商中芯国际(SMIC)宣布，周四公司已经对IBM的45纳米集成电路制成技术加以认证。
SMIC说，公司将会采用IBM的CMOS技术制造300毫米晶圆片，这些晶圆片用于SMIC的制造工厂。CMOS，或者说金属氧化物半导体元件，是微处理器所采用的一种主要的集成电路。
公司在一次联合声明中表示，IBM技术将被用于制造图形处理芯片、芯片组、用于高端移动电话的元件，以及其他消费设备。该认证技术预期将对SMIC的65纳米低端技术加以补充。
SMIC的总部设在上海，是中国最大的晶圆制造
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- 特约嘉宾：
中国工程院院士许居衍
“十一五”重大专项专家组专家魏少军
中国科学院微电子研究所所长叶甜春
魏少军我认为中芯国际采取的与IBM合作的技术路线是正确的。虽然45纳米技术与65纳米技术从线宽上看只差一代，但它是一个关键节点，技术难度将比65纳米高得多，完全靠我们自主研发会需要很长的时间和巨大的投入。采取国际合作可以加快这一进程。当然，中芯国际也不能长期完全依靠引进，还是要投入资金，提升自己的技术水平，发展自身的能力。
中芯国际应该根据国内外市场的需求以及自身商业模
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- 背景：当人们以纳米为单位讨论IC制程时，实际尺寸的测量值到底是多少？ 有些时候一个非常直接的问题却有一个及其麻烦的答案。上面的问题就是一个案例。 最初，IC制程是由印刷和光刻胶所能处理的最细走线来命名的，后来成功转变为晶圆表面的一个特性。实际中，这个特性总是用来定义MOS晶体管的闸极电极走线。所以，制程的名字就用来标识闸电极的宽度。 为了使事件更复杂，设计者把它称为“闸长度”。不幸的是，闸长度还是晶体管速度的一个近似测量，它决定在手工布线时你可以堆叠的晶体
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- 资深评论人 莫大康
按国际工艺路线图指引,全球半导体07年才进入45纳米制程。其中英特尔首先采用高k及金属栅工艺,将CMOS工艺推向一个新的里程碑。连戈登摩尔也坦诚,由此将定律可延伸又一个10年。
此次中芯国际能成功与国际最先进的技术输出者,IBM达成45纳米的技术转让协议意义十分深远。
首先表征中芯国际愿意继续追赶国际最先进工艺水平,加入全球最先进
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- 新华网上海12月10日电(记者 季明)中芯国际总裁兼首席执行长张汝京10日在上海12英寸芯片生产线投产仪式上说，中芯国际计划于明年年底试投产45纳米芯片，届时中国大陆将实现芯片生产水平与世界同步。
10日，中芯国际上海12英寸芯片生产线在上海浦东张江高科技园区成功投产，这也是目前大陆4条已投产的12英寸芯片生产线中，唯一一条具备生产全球最先进的45纳米芯片能力的芯片生产线。
此前，中芯国际在北京的两条12英寸芯片生产线和无锡海力士12英寸芯片生产线都还只能达到量产90纳米芯片的水平。而随着
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- 就在业界为摩尔定律即将失效而担忧时，英特尔工程师们用最新发明证明了它还具有长久的生命力。
11月16日下午，英特尔在北京、广州同步向中国市场正式推出基于45纳米工艺制程的Penryn平台和16款商用处理器。英特尔提供的资料显示，45纳米处理器因为采用了一种新型的材料“铪”而有效地解决了芯片的漏电问题，使得晶体管的密度更高、功耗更低从而性能也更加的强大。甚至摩尔定律发明者、英特尔联合创始人戈登
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- 微电子技术踏着摩尔定律的足迹终于走到了45纳米。本月中旬，英特尔公司发布了16款采用45纳米工艺生产的服务器及高端PC处理器，标志着45纳米集成电路产品正式投入到应用领域。英特尔还宣布，目前该公司已有三条12英寸生产线具备生产45纳米芯片的能力。预计到2008年第三或者第四季度时，英特尔的45纳米产品在数量上将可能超过65纳米产品。在英特尔的带动之下，其他高端厂家必将陆续跟进，“45纳米时代”已是呼之欲出。新技术具有里程碑意义 英特尔的共同创始人戈登?摩尔认为，此次英特尔新产品的推出，是自从多晶硅栅
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- 英特尔出货采用高k金属栅极技术的首款45纳米微处理器。不论是为了突出这件事的重要意义，还是为了强调其著名定律仍然有效，摩尔已成为英特尔45纳米技术营销活动的主角。摩尔称这项创新是“20世纪60年代多晶硅栅极MOS晶体管出现以来，晶体管技术的最大变化”。甚至《时代》杂志认为，英特尔Penryn微处理器是2007年最佳发明之一。
但在这些高调宣传背后还是有一些实质内容的。硅半导体产业对多晶硅爱不释手，难以割舍;实际上，许多制造商在到达32纳米节点以前不会放弃多晶硅。英特尔向来比同业更快地推出新技术，
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- 11月12日消息，据国外媒体报道，英特尔公司打算在周一推出最新一代处理器，公司将以精确的新工艺开展大规模生产，新一台45纳米制造工艺可将多达40%的晶体管放入芯片。 全球最大半导体制造商将开始销售16款新微处理器，其中包括服务器产品和高端游戏电脑用产品，新处理器将应用可节省电力消耗的新材料。 周一发布的一款最复杂芯片拥有8.2个晶体管，而英特尔采用现行技术标准制造的同样芯片仅有5.82亿个晶体管。英特尔公司在1970年代早期发布的第一个芯片只有2300个晶体管。 芯片技术进步的结果之一是刻蚀在
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- 据国外媒体报道，英特尔计划于本周一推出新一代处理器。英特尔新型处理器采用了45纳米生产工艺，晶体管数量比上一代产品增加了40%。与此同时，新型处理器还采用了新材料，以解决电泄漏的问题。 英特尔将于周一发布16款新型处理器，主要面向服务器和高端游戏PC。在这些处理器中，最复杂的一款拥有8.2亿个晶体管，而采用上一代65纳米生产工艺的处理器最高为5.82亿个。英特尔上世纪70年代推出的首款处理器只有2300个晶体管。随着生产工艺的不断
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- 2007年11月13日，美国高通公司宣布已使用基于TSMC45纳米工艺技术制造的3G芯片完成首次呼叫。
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- 2007年11月12日，英特尔发布了16款采用45纳米工艺生产的服务器及高端PC处理器，标志着45纳米集成电路产品正式投入到应用领域，预计到2008年第三或第四季度时，英特尔的45纳米产品在数量上将超过65纳米产品。
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- Altera公司技术开发副总裁Mojy Chian博士来到北京，在媒体座谈会上介绍了该公司45nm IC开发的情况。他说，45nm相对65nm的优势要比65nm相对90nm的优势更大，同时开发难度也更高。Altera通过选择正确的合作伙伴、采用“第一片硅投产”的方法以及协作设计和工艺开发的方式来实现2008年45nm FPGA的生产。
那个叫Moore的人真幸运。他没有发现真正的物理定律。他只不过总结并预测了半导体产业的发展规律，但他可能比大多数发现真正定律的物理学家都著名。说他幸运，是因为那个
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- Spansion宣布，它已经获得了增强型ARM® SecurCore® SC100™处理器的使用授权，使Spansion将 ARM处理器集成在其基于闪存的大容量SIM卡解决方案MirrorBit® HD-SIM™系列。通过这项授权协议，ARM的SC100处理器标准可寻址存储空间得到显著扩容，从1MB扩充至1GB，从而使45纳米及以下制程的单芯片MirrorBit HD-SIM解决方案能充分利用新增存储容量。
根据这项协议，Spansion可以设计、
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- 本刊讯 10月25日，英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产，坐落于美国亚利桑那州钱德勒市的这家制造厂，是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。
这座代号为“Fab 32”的工厂，占地约100万平方英尺，相当于17个足球场大小，员工人数超过1千人，采用最为先进的45纳米生产工艺。
新厂主要生产代号为“Penryn”的芯片，主要用于支持网络运行的PC及服务器，产品预计于11月12日上市销售。
新厂的投产将使英特尔进
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45纳米介绍
1906年，世界第一枚电子器件划时代而生。此后百年间，随着晶体管与集成电路的成功开发，人类开始步入速度惊人的芯片时代。
我们知道，能够带来突破性性能与尺寸的新体系结构，需要在更小的体积内放入更多的晶体管数目，需要更高级的芯片制程工艺。
从第一颗处理器到90纳米处理器，乃至65纳米处理器都是如此。英特尔把这种以两年为周期的芯片与微体系结构快速发展步调称为“Tick-tock”战略。当硅 [
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