- 沉寂了一段时间后，中国半导体业又重新开始冲剌，表现为上海华力12英寸项目启动及中芯国际扩充北京12英寸生产线产能至4.5万片，包括可能在北京再建一条12英寸生产线等。
然而，从国外媒体来的讯息表示的观点有些不同。如美国Information Network认为中国半导体业在政府资金支持下，在未来的5年内将投资250亿美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市场分析公司对于投资的回报率存有质疑，其实这一切才是正常的。因为中国半导体业是属于战略产业，不是完全可用市场机制，单一的经济规律来解释得通。
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半导体 28nm 40nm
- IBM、GlobalFoundries、三星电子、意法半导体四家行业巨头今天联合宣布，他们将合作实现半导 体制造工厂的同步，共同使用IBM技术联盟开发的28nm低功耗工艺生产相关芯片。据了解，这种同步模式将确保客户的芯片设计能够在三个国家的多座晶圆厂内灵活生产，无需重新设计，大大降低半导 体制造的风险和成本。相关的28nm新工艺通用电路已经发放到各家工厂，预计今年底就会有工厂率先完成同步过程，随后不久便可以开始投产。
IBM技术联盟的核心是IBM位于纽约州East Fishkill的工厂，成员包
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GlobalFoundries 28nm 晶圆
- IBM“晶圆厂俱乐部”中的四家公司IBM、Samsung、GlobalFoundries和ST称他们将在28nm低功耗工艺上展开合作保持同步。
该集团将于2010年晚期开始出货28nm晶圆，并且开始对其代工竞争对手进行隐晦的口头攻击。
该集团没有指出台积电的名字，但台积电对IBM集团的高k技术表示过不满。IBM的28nm工艺是基于gate-first高k金属栅技术，而台积电则在高k中采用gate-last工艺。
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IBM 28nm 晶圆
- 据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。
联电CEO孙世伟(Shih-Wei Sun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(PTI)共同研发完成的。这次三方合作汇聚了联电的制造技术、尔必达的内存技术和力成的封装技术，并在3D IC方案中整合了逻辑电路和DRAM。
孙世伟指出，客户需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS图像传感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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联电 28nm 立体堆叠式芯片
- 随着现代芯片制造工艺的研发成本越来越高，以及不同机构之间的合作越来越密切，大型企业和国家政府也可能会越走越近，比如蓝色巨人IBM和阿联酋阿布扎比，他们中间就有一个GlobalFoundries。
Petrov Group创始人兼首席分析师、前特许半导体市场战略总监Boris Petrov在接受媒体采访时表示：“IBM 在与政府打交道的时候会比个体公司感到更舒服，就像是航空母舰对比土著小渔船。”
GlobalFoundries的客户现在都普遍需要更先进的制造工艺，比如
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GlobalFoundries 32nm 28nm
- 有人说现在是大公司时代，强者更强，因此电子业内兼并重组现象时有发生。有人却说，未来给中小企业带来了机会，只要你的技术或产品在专注的领域里能排在前三，因为发达的媒体业铲平了信息阻隔，为更多的中小企业创造了贸易机会。
最近，笔者参加了美国Globalpress公司在硅谷周边——Santa Cruz举办的Electronic Summit2010(电子高峰会议)，有约30家公司参与，大部分是中小企业。从中感慨到：摩尔定律揭示了半导体业正向40/32/28nm制程推进的必然过
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摩尔定律 40nm 32nm 28nm 201006
- Gloabl Foundries(GF)声称将投资30亿美元用来扩充德国与美国的产能，以回应全球代工近期呈现的产能饥饿症。
欧洲：在Dresden新建Fab 12，目标是45nm、28nm及22nm，月产能8万片，洁净厂房面积11万平方英尺。项目已经国家与欧盟批准，并于2011年开始量产。
GF发言人称Dresden投资在14-15亿美元。
美国：GF正在纽约的Luther Forecast兴建Fab 8，目标为28nm及22nm，总建筑面积为30万平方英尺，其中洁净厂房为9万平方英
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GloablFoundries 22nm 45nm 28nm
- 在前3年之前全球代工总是在看前4大的动向，包括台积电、联电、中芯国际及特许。然而，台积电一家独大，联电居老二似乎也相安无事。
自AMD分出Globalfoundries，及ATIC又兼并特许，再把Globalfoundries与特许合并在一起。表面上看少了一个特许，实际上由于Globalfoundries在其金主支持下积极建新厂，在代工业界引发了波浪,至少谁将成为老二成为话题。
加上存储器大享三星近期开始投资代工，放言要接高通的手机芯片订单;加上fabless大厂Xilinx改变策略，把2
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台积电 FPGA 28nm
- 台积电公司宣布他们将于28nm制程之后跳过22nm全代制程，直接开发20nm半代制程技术。在台积电公司日前举办的技术会展上，台积电公司展示了部分 20nm半代制程的一些技术细节，20nm制程将是继28nm制程之后台积电的下一个主要制程平台，另外，20nm之后，台积电还会跳过18nm制程。
根据台积电会上展示的信息显示，他们的20nm制程将采用10层金属互联技术，并仍然采用平面型晶体管结构，增强技术方面则会使用HKMG/应变硅和较新的“low-r”技术(即由铜+low-
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台积电 光刻 28nm 22nm
- 台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示，台积电将会和整个半导体产业一起，向14nm以下的制造工艺进军。
张忠谋认为，2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快，原因有很多，其中之一就是受摩尔定律制约，技术发展的速度会趋于缓慢。
张忠谋表示，2xnm时代眼下很快就要到来，1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实，而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm，但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水平。
台积电2010年间的资本支出预算高达48亿美元，
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台积电 22nm 28nm
- ARM公司近日公布了其委托Globalfoundries代工的新款SOC芯片的部分技术细节。这款芯片主要面向无线应用，据称芯片的计算性能将提升40% 左右，而耗电则将降低30%，电池续航时间则可提升100%。据透露，这种SOC芯片将采用GF公司的两种制程进行生产，包括28nm SLP(超低功耗)和28nmHP(高性能)，其中前者将主要用于生产对功耗水平要求较高的产品，而后者则主要面向消费应用级产品。
这款SOC芯片基于ARM Cortex-A9核心，并将采用GF公司的28nm Gate-firs
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Globalfoundries SOC 28nm
- 去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，便让我们在蒋尚义的介绍中，了解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的背景及其有关的实现计划。
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温
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台积电 Gate-last 28nm
- 据业者透露，台积电公司将于今年中期开始为Altera公司生产28nm制程FPGA芯片产品。这种FPGA芯片将集成有28Gbps收发器，产品面向云计算，在线存储以及移动视频等应用，Altera公司两年前曾推出该系列产品的 40nm制程版本。台积电还宣布其28nm制程将为全代制程(full node:即制程升级时需要对芯片电路进行重新设计),而且年内其28nm制程还将具备可按客户的需求制作出HKMG(High-K绝缘层+金属栅极)或SiON(SiON绝缘层+硅栅极)这两种不同栅极结构的能力.
台积电
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台积电 28nm FPGA Altera
- Altera公司今天宣布了在即将推出的28nm FPGA中采用的创新技术：嵌入式HardCopy®模块、部分重新配置新方法以及嵌入式28-Gbps收发器，这些技术将极大的提高下一代Altera® FPGA的密度和I/O性能，并进一步巩固相对于ASIC和ASSP的竞争优势。
快速增长的宽带应用如高清晰(HD)视频、云计算、网络数据存储和移动视频等对基础设备和最终用户设备开发人员提出了新挑战。他们怎样才能够迅速提高系统带宽，同时满足严格的功耗和成本要求呢?Altera开发了最新的创新
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