联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
关键字：
5G 联电 RFSOI 3D IC
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出 USB 2.0 信号调节器产品PI5USB212，可在供电电压低至 2.3V 的状态下工作。PI5USB212 设计用于笔记本电脑、个人计算机、扩充坞、延长线、电视及显示器，能自动检测 USB 2.0 高速传输。在 PCB 走线或数据线延长至 5 米时亦可保持信号完整性。此款 IC 对称升压 USB
关键字：
Diodes公司 USB 2.0信号调节器
新宽带无线标准（如5G新无线电（NR）和Wi-Fi7（802.11be））支持的频带和测试用例的数量持续增长。同时，对功率放大器设计的需求在更高的功率效率和更高的线性度之间进行权衡，这推动了对新型线性化和包络跟踪（ET）技术的探索。Nl的射频前端验证参考体系结构简化了负责验证宽带射频功率放大器（PA）以满足5GNR和Wi-Fi 7等苛刻应用的工程师的工作流程。在硬件方面，Nl的模块、实验室级仪器和Focus Microwave的宽带调谐器组合提供了可扩展、定制和紧密集成的验证测试台。若要了解更多，请下载相
关键字：
NI 5G/6G RFFE
IT之家 4 月 27 日消息，据“华为无线网络”官方消息，近日，中国电信股份有限公司北京分公司与华为携手推出中国电信首个 5G FWA（Fixed Wireless Access）商用试点项目。据介绍，该业务旨在提供与光纤相当的高速上网体验，并迅速解决那些光纤尚未到达地区的宽带接入问题。试点验证结果表明：5G FWA 在用户端下行速率可与 300M 有线宽带相媲美，上行体验亦可达百兆级别，轻松满足了家庭用户的多元化需求，如高清电视观看、大型网络游戏、在线教育以及视频监控等。▲ 图源“华为无线网
关键字：
5G FWA
作为 Rambus 行业领先的接口和安全数字 IP 产品组合的最新成员，GDDR7 内存控制器将为下一波AI推理浪潮中的服务器和客户端提供所需的突破性内存吞吐量。面向AI 2.0的内存解决方案AI 2.0代表着生成式AI革命性世界的到来。AI 2.0借助大语言模型（LLM）及其衍生模型的巨大增长创建新的多模态内容。多模态意味着可以将文本、图像、语音、音乐、视频等混合输入到模型中，从而创建出这些以及其他媒体格式的输出，例如根据图像创建3D模型或根据文本提示创
关键字：
Rambus GDDR7 内存控制器IP AI 2.0
随着互联汽车生态系统的发展，它将影响多个价值链，包括汽车、通信、软件和半导体的价值。在这个过程中，半导体公司及其他上下游会面对不小的挑战和机遇，通过重新审视他们的产品、技术和运营方式，以及他们的市场策略，来适应这一行业的转型。5G与边缘计算带来的新机遇5G技术和边缘计算的兴起，为汽车行业带来了巨大的创新空间。首先，5G技术以其高带宽、低延迟和高可靠性的特点，为汽车的互联、自动驾驶和智能化提供了强有力的技术支持。其次，边缘计算通过将数据处理和分析的能力从云端推向网络的边缘，使得汽车能够实时处理大量的传感器数
关键字：
边缘智能 5G 智能汽车
近日，英特尔AI教育峰会暨OPS2.0全球发布活动在第83届中国教育装备展示会期间顺利举行。峰会现场，英特尔携手视源股份、德晟达等合作伙伴正式发布新一代开放式可插拔标准——OPS 2.0，并展示了基于该标准的多元化行业领先解决方案，以进一步加速智慧教育终端与智能应用的创新与落地，开创面向未来的智慧教育新生态。英特尔公司市场营销集团副总裁、英特尔中国网络与边缘及渠道数据中心事业部总经理郭威表示，“英特尔多年来始终致力于推动智慧教育与视频会议领域的数字化创新。作为英特尔精心打造的新一代计算模块，OPS 2.0
关键字：
英特尔 OPS 2.0 智慧教育 开放式可插拔标准
天线测量解决方案领导者Microwave Vision Group（MVG）近日宣布与欧洲航天局 (ESA) 签订两份合同，位于荷兰的欧洲航天研究和技术中心 (European Space Research and Technology Centre, ESTEC)将通过MVG天线测量技术为其新型改进射频测试设施Hertz 2.0提供补充。Hertz 2.0将受益于大型多轴定位器，使中型和重型被测设备 (DUT) 能够在任何角度方向上进行高精度测试。MVG 与 DUT 定位器一起为紧缩场(CATR)馈源提
关键字：
欧洲航天局 MVG Hertz 2.0 测试
IT之家 4 月 18 日消息，工业和信息化部新闻发言人、总工程师赵志国 18 日在国新办新闻发布会上介绍，下一步，工信部将围绕高质量发展这个首要任务，进一步巩固提升信息通信业竞争优势和领先地位。赵志国称：“一是夯基础。我们还是要把基础打牢打实，加快落实大规模设备更新相关政策，推动信息基础设施优化升级。推进算力基础设施协同发展，加快形成全国一体化算力体系。二是抓创新。我们认为创新是根本，推动 5G 与大数据、云计算、人工智能等多种技术融合，加快 5G 演进。大家知道，5G 现在正在向 5GA 或
关键字：
5G 无线通信
IT之家 4 月 10 日消息，国务院新闻办在今天举行“推动高质量发展”系列主题新闻发布会的第 8 场发布会，围绕“中国式现代化山东实践：绿色低碳高质量发展”作介绍。山东省发改委主任孙爱军在会上表示，发展数字经济，新基建必须先行。山东拥有济南、青岛两个互联网骨干直连点，是全国首个“双枢纽”的省份，2.2 亿个物联网终端在全国也是最多的。这方面山东持续加大力度，今年全省 16 个市将全部达到千兆城市标准，明年底前再建成开通 7 万个 5G 基站，总量突破 27 万个，进一步织密数字基础设施网络，助
关键字：
5G 无线通信 基站
4月8日消息，据韩国媒体TheElec报导，三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达（NVIDIA）的2.5D封装订单。据市场人士的说法，三星的先进封装（AVP）团队将为英伟达提供Interposer（中间层）和I-Cube先进封装产能。I-Cube为三星自主研发的2.5D封装技术，但是当中的高带宽內存（HBM）和GPU晶圆的生产将由其他公司负责。现阶段通过2.5D封装技术可以将多个芯片，例如CPU、GPU、I
/
O界面、HBM等，平均放置在中间层上完整封装在单一系统芯片当中。台积电将这种封装技术
关键字：
台积电 CoWoS 三星 英伟达 2.5D先进封装
美国电动车大厂特斯拉可能推出入门平价车款「Model 2」的消息早已流传有一段时间。投资人莫不希望这款据传定价2.5万美元的平价电动车能够带动陷入成长困境的特斯拉业绩。可是外媒路透社日前却惊曝，这款特斯拉承诺以久的平价车款计划已经告吹。消息曝光后，特斯拉执行长马斯克在旗下社群平台X上怒批，「路透社（又）在说谎」！马斯克杠上媒体已经不是新闻。《华尔街日报》、《纽约时报》、彭博社等美国权威媒体都曾领教过马斯克的怨怼发言。这次惹毛马斯克的导火线是路透社5日爆出的独家消息。报导中引述消息人士发言，指称特斯拉已经取
关键字：
特斯拉 Model 2 马斯克
目前英伟达的H100等数据中心GPU都是由台积电（TSMC）负责制造及封装，SK海力士则供应HBM3芯片。不过人工智能（AI）的火热程度显然超出了大家的预期，导致台积电的先进封装产能吃紧。虽然台积电不断扩大2.5D封装产能，以满足英伟达不断增长的需求，但是英伟达在过去数个月里，与多个供应商就2.5D封装产能和价格进行谈判，希望能够分担部分工作量。据The Elec报道，三星已经获得了英伟达的2.5D封装订单。其高级封装（AVP）团队将向英伟达提供中间层，以及I-Cube封装。I-Cube属于三星自己开发的
关键字：
三星 英伟达 封装 2.5D
是德科技5G 研发测试台参考解决方案可以灵活评测调制带宽高达 2 GHz 和频段高达 110 GHz 的 5G 候选波形。Keysight 5G 研发测试台充分利用 Keysight VXG 微波信号发生器和 UXA 系列信号分析仪的强大功能，依照最新的 3GPP 38.141 标准来验证 5G NR 基站（gNB）的性能。 这款灵活的波形生成与分析解决方案能够提供：最宽 2 GHz 的带宽，可以生成 5G NR 多分量载波波形出色的测量系统性能，适用于测试符合 3GPP 标准的 5G NR 256 QA
关键字：
是德科技 5G 研发测试台
尽管如今可以创建基于中间层的系统，但工具和方法论尚不完善，且与组织存在不匹配问题。
关键字：
2.5D先进封装
2.5g介绍
目前已经进行商业应用的2.5G移动通信技术是从2G迈向3G的衔接性技术，由于3G是个相当浩大的工程，所牵扯的层面多且复杂，要从目前的2G迈向3G不可能一下就衔接得上，因此出现了介于2G和3G之间的2.5G。HSCSD、GPRS、WAP、蓝牙(Bluetooth)、EPOC等技术都是2.5G技术，EDGE是2.75G技术。
HSCSD（High Speed Circuit Switched Da [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473