- 最初为高压器件开发的超级结MOSFET，电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容，但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。 MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量，其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，输入电容CG
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MOSFET 非线性电容
非线性电容介绍
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