- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布,将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台,进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所(IHP)的长期合作关系。作为新协议的一部分,X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权,将这一技术的性能优势带给大批量市场的客户群体。130纳米SiGe BiCMOS平台新创建的130纳米平台显著加强了X-FAB的技术组合,提供了独特的解决方案,达到满足下一代通信要求所需的更高
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X-FAB 莱布尼茨IHP
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