- 台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过南韩三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。科技网站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平台X（前身为推特）的发文报导，三星的3纳米制程良率一开始虽然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。尽管三星如今3纳米制程良率已达30~60%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米制程寄予厚望，
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- 据《科创板日报》报道，针对“因4~5纳米先进制程良率逐渐稳定，客户订单正逐渐增加，稼动率也相应反弹，12英寸稼动率回升至九成。”这一市场消息，三星半导体对其进行了回应。报道指出，三星半导体相关负责人回应表示，“暂无法透露最新良率或者客户情况。正如我们在2022年4月的财务电话会议上所提及，5nm制程良率自去年年初以来已稳定下来，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以来一直在预期的轨道上。自此4~5nm制程良率已经稳定了。”据韩国媒体BusinessKorea报道，三星4纳米制程良率相较之前
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- 据韩国媒体报道，三星电子新人联合CEO Kyung Kye-hyun日前在股东大会上表态，称三星今年芯片及零件部门的增长率有望优于全球芯片市场的9%，三星会设法提高产能，满足市场需求。针对5nm及以下工艺良率偏低的问题，Kyung
Kye-hyun表示芯片扩产需要时间，但三星已经在改善中，他强调半导体芯片工艺越来越精密，复杂度也提高了，5nm以下的芯片工艺正在逼近半导体物理极限。Kyung
Kye-hyun称三星计划将生产线运营最佳化，以改善盈利及供应，并持续提升已经量产的工艺。此外，Kyun
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- 据媒体报道称高通已将3nm
AP代工订单独家交给了台积电。不仅如此，有业内人士称，高通还将部分4nm骁龙8旗舰处理器的部分代工订单交给台积电。当时我听到这个消息一方面为台积电感到高兴，另一方面心中出现质疑：为什么高通没有选择三星？而近期外媒的爆料给出了这个答案。2月25日，据韩国媒体爆料称，近期三星电子怀疑三星半导体代工厂的产量及良率报告存在“造假”行为，正计划开展一项内部调查。据悉，三星电子DS部门（三星电子旗下半导体事业暨装置解决方案事业部，三星晶圆代工业务隶属于该部门）近期正接受管理咨询部门就三
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- 根据国外媒体tomshardware报道，由于台积电3nm工艺良率存在问题，苹果或放弃采用3nm工艺打造新一代A16芯片，这也意味着今年将要发布的iPhone 14疑似无缘3nm芯片。据了解，将搭载在iPhone 14上的苹果A16处理器计划采用台积电3nm工艺生产，但是由于台积电可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片，因此A16处理器智能转为使用台积电4nm工艺打造。
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- 近日，关于台积电3nm工艺制程有了新消息，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。实际上，随着晶体管数量的堆积，内部结构的复杂化，3nm工艺制程的良品率确实很难快速提升，达成比较好的量产水平。因此，台积电或将规划包括N3、N3E与N3B等多个不同良率和制程工艺的技术，以满足不同厂商的性能需求，正如同去年苹果在A15上进行不同芯片性能阉割一致，即能满足量产需求，还能平摊制造成本，保持利润。此外，还有消息称台积电将在2023年第一季度开
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- 根据外媒报导，日前在国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）大会上，晶圆代工龙头台积电官方披露了5纳米制程的最新进展。
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- 近日，全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布其半导体制造系统产品组合推出全新功能，以进一步改善晶圆边缘的产品良率，从而提高客户的生产效率。在半导体生产工艺中，制造商希望在晶圆的整个表面搭建集成电路。然而，由于晶圆边缘的化学、物理和热不连续性都更加难以控制，良率损失的风险也随之增加。因此，控制刻蚀的不均匀度以及避免晶圆边缘缺陷是降低半导体器件制造成本的关键所在。泛林集团的Corvus刻蚀系统和Coronus等离子斜面清洁系统有效地解决了大规模生产中的边缘良率问题。这些解决方案被应用于尖端节点的制造
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- 在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断，从而留下孔洞。
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化学气相沉积 良率 化学机械抛光
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