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耐受性 文章 进入耐受性技术社区

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑）　　摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。　　关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离    &nb
  • 关键字： 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  
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耐受性介绍

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