集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能，降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点，采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中，半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构，是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。已公开的理论计算和实验结果均表明，碳管CMOS晶体管采用平面结构即可缩减到5nm栅长，且较同等栅长的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能-
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日媒称，碳纳米管研究意在代替硅制半导体，该领域主要由中美的大学和新创企业拉动研究，而碳纳米管的发现国日本的存在感却正在下降。据《日本经济新闻》11月28日报道，直径为1纳米左右的碳纳米管被发现具备重量轻且强韧的特色，在导电性等方面也具备有趣的性能，1991年，由日本名城大学终身教授饭岛澄男在任职于日本电气公司（NEC）时发现。
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英国《自然》杂志日前发表了一项计算科学最新进展：美国麻省理工学院团队利用14000多个碳纳米管晶体管，制造出16位微处理器，并生成这样一条信息。其设计和制造方法克服了之前与碳纳米管相关的挑战，将为先进微电子装置中的硅带来一种高效能替代品。
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日前，由教育部科学技术委员会组织评选的2017年度“中国高等学校十大科技进展”经过高校申报和公示、形式审查、学部初评、项目终审等评审流程后在京揭晓。
由北京大学申报的”5纳米碳纳米管CMOS器件“入选。
芯片是信息时代的基础与推动力，现有CMOS技术将触碰其极限。碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项。
理论研究表明，碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗，且较易实现三维集成，系统层面的综合优势将高达上千
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据怀新资讯报道，日前北京大学信息科学技术学院通过对碳管材料、器件结构/工艺和电路版图的优化，在世界上首次实现工作在千兆赫兹频率的碳纳米管集成电路，有力推动了碳纳米管电子学的发展。碳纳米管被认为是构建亚10m晶体管的理想材料;理论和实验研究均表明相较硅基器件而言，其具有5-10倍的本征速度和功耗优势，性能接近由量子测不准原理所决定的电子开关的极限，有望满足后摩尔时代集成电路的发展需求。
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锂离子电池新型负极材料的改进与研究-本文着重介绍了锂离子电池负极材料金属基（Sn基材料、Si基材料）、钛酸锂、碳材料（碳纳米管、石墨烯等）的性能、优缺点及改进方法，并对这些负极材料的应用作了进一步展望。
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北京6月28日电(记者王健 魏梦佳)当人类生活越来越离不开手机、电脑等电子产品时，这些产品的核心部件芯片正面临着性能极限的逼近。
好在科学家们正在探索用新材料来替代硅制造芯片，从而冲破芯片的物理极限。在这方面，中国科学家已经走在了世界前列，这也为中国芯片产业的换道超车提供了可能。
北京大学电子系教授彭练矛带领团队成功使用新材料碳纳米管制造出芯片的核心元器件——晶体管，其工作速度3倍于英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管，能耗只有其四分之一。该成果于今年初刊登于美国
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碳纳米管器件和集成电路因速度、功耗等方面优势，被认为是未来最有可能替代现有硅基集成电路，延续摩尔定理的信息器件技术之一。经过近20年的研究，碳纳米管电子学在器件物理、器件制备和优化、简单集成电路和系统演示方面取得长足进展。
然而，受限于材料和加工工艺问题，碳纳米管晶体管的制备规模、成品率和均匀性始终难以达到较高水平，限制了碳纳米管集成电路技术进一步向产业化发展。
近 期，在北京市科委支持下，北京大学彭练矛教授团队针对如何将碳纳米管从晶体管推向集成电路的世界性难题开展系统研究，取得重大进展。
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据外媒报道，碳纳米管属于一种超级材料——它是直径为1或2纳米的圆柱状物，它有包括从超级计算机到效能比更高的智能手机在内的许多梦幻般应用。问题是，它们不容易制造，推出商业化碳纳米管产品可能尚需10-15年。
碳纳米管是由碳元素构成的一种管状分子结构。特别是，碳纳米管(在1991年被偶然发现)以优异的电气和机械性能闻名。这些性能来自碳纳米管的结构。在纳米管中，碳原子以六边形螺旋的方式排列。
帕利克尔·阿贾俨(Pulickel M
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因为某些关键市场起飞速度会比预期来得快，而且其报酬不容易被均分，碳奈米管(CNT)的第二波整并风潮可能会发生。
碳奈米管 (Carbon nanotubes，CNT)一度成为市场上的当红炸子鸡，因为它似乎能成为一种改变无数产业的革命性材料，甚至能帮我们打造出通往月球的电梯;但是，随 着它努力朝商业化道路前进，这种技术后来受到的关注越来越少，特别是有一种似乎更具潜力的新技术──石墨烯(graphene)冒出头之后。
尽管如此，CNT技术目前正稳定发展而且悄悄重整旗鼓;未经纯化(un-puri
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单壁碳纳米管(swcnt)因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性，其中半导体性swcnt具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料，并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而，金属性和半导体性swcnt的结构和生成能差异细微，通常制备得到的碳纳米管中含有约三分之一金属性和三分之二半导体性swcnt，这种不同导电属性swcnt的混合物无法用于高性能电子器件的构建。因此，高质量半导体性swcnt的可控制备是当前碳纳米管研究的重点和难点。
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为了研究单根碳纳米管的性质和器件性能，以及操纵碳纳米管从而得到某种特殊的结构，人们往往需要在光学显微镜下定位某个碳纳米管才能进行光谱表征和器件构筑。传统的使用扫描电子显微镜来标记定位的方法较为繁琐且易污染碳纳米管。纳米材料的光学可见化可以满足人们的需求。而已有的在碳纳米管表面沉积金属或氧化物纳米颗粒的方法，虽然实现了光学显微镜下的可见化，却可能导致碳纳米管的性能退化，不利于碳纳米管本征物性的探索。
尤其是碳纳米管优异的性质极易受到周围环境的影响，以往使用混合样品研究碳纳米管的物理性质，往往只能得
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自从NEC研究人员饭岛澄男(Sumio Iijima )在1991年首度发现碳奈米管(CNT)后，这方面的研究一直持续进展。他形容碳奈米管是继石墨稀、钻石以及富勒烯(fullerenes;巴克球Buckyballs)之后碳的第四种形式。基本上，碳奈米管可视为卷成管状的石墨烯原子薄层，并稳定维持1.2nm的直径。 碳奈米管由于在室温下的电迁移率超过每秒100,000-cm2//V，比标准矽晶片每稍1,400-cm2//V的电迁移更快70倍，因而几乎马上就能确定可用于取代矽电晶体中的通道。 研究人员试
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本文为了实现碳纳米管场致发射显示器(CNT-FED)的产品化，采用CNT-FED阴极电流源驱动方法，研究了CNT-FED亮度的均匀性和非线性调节问题。从分立元件驱动电路设计原理出发，采用了高稳定性阴极电流源像素驱动电路，将电流源驱动电路预先制作在硅基底上，再利用室温下生长碳纳米管(CNT)的方法，将CNT发射体和电流源驱动电路集成在同一硅衬底上，最终实现了集成CNT-FED驱动电路的设计。该驱动电路解决了CNT-FED亮度均匀性和非线性调节问题，对场射显示器驱动电路的应用研究和CNT-FED驱动电路的集成
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碳纳米管 场发射显示器 电流源 驱动电路 201507
近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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碳纳米管介绍
碳纳米管作为一维纳米材料，重量轻，六边形结构连接完美，具有许多异常的力学、电学和化学性能。近些年随着碳纳米管及纳米材料研究的深入其广阔的应用前景也不断地展现出来。
目录
简介
分类
性质
碳纳米管的性能
1. 力学性能
2. 导电性能
3. 传热性能
4. 其他性能
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