基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET,该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装,具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下,可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,迎合了更智能、功能更丰富的趋势,满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
便携式及手持智能电子设备的小型化对芯片功能集成的要求日益复杂,芯片的微型化及引脚间距越来越小给产品的最终测试带来了技术挑战和成本压力,也让越来越多的客户采用晶圆级封装测试和晶圆级芯片封装测试的方案。史密斯英特康推出的Volta系列测试头适用于200µm间距及以上晶圆级封装测试,为高可靠性WLP(晶圆级封装)、WLCSP(晶圆级芯片封装)和KGD(已确认的好的裸片)测试提供更多优势,可满足客户对更高引脚数、更小间距尺寸、更高频率和更高并行度测试的要求。Volta独特的设计具有极短的信号路径,低接触电阻,可实
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晶圆级 封装测试头 Volta 200 系列
可靠性测试仪器的发展趋势 就像前文所指出的那样,可靠性测试需要与新器件的设计和新材料的使用密切关联 ...
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晶圆级 可靠性测试 器件开发
摘要 随着器件尺寸的持续减小,以及在器件的制造中不断使用新材料,对晶圆级可靠性测试的要求越来越高。在器件 ...
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晶圆级 可靠性测试
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IC芯片 晶圆级 射频测试 I-V/C-V测试
引言 随着VLSI集成度的日益提高,MOS器件尺寸不断缩小至亚微米乃至深亚微米,热载子效应已成为最严重的可靠性问题之一。现今,为了降低成本,减少周期,不断的提高工艺,晶圆级的器件可靠性测试愈来愈被广泛的应用。纵观
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创新 并行测试 晶圆级 方法
摘要: 本文以使用标准CMOS技术和有源像素架构的CMOS有源像素传感器为研究对象。该传感器专为X射线成像系统而设计,具有噪声低和感光度高等特点。这种传感器已使用标准0.35μm技术和8″晶圆得到生产。传感器分辨率为每40 x 40μm2 面积3360 x 3348像素。其对角长度略大于190mm。本文对传感器的图纸设计、拼接图和已得到开发的电子光学性能进行了论述。 &nbs
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CMOS X射线 电源技术 晶圆级 模拟技术 图像传感器 有源像素 其他IC 制程 设备诊断类
晶圆级介绍
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