近日，Marvell)和ADI公司宣布开展技术合作，利用Marvell先进的5G数字平台和ADI出色的宽带RF收发器技术为5G基站提供充分优化的解决方案。合作期间，两家公司将提供全集成5G数字前端(DFE) ASIC解决方案以及与之紧密配合的RF收发器，并将合作开发下一代射频单元(RU)解决方案，包括能够支持一组多样化的功能切分和架构的优化基带和RF技术。Marvell总裁兼CEO Matt Murphy表示：“Marvell很高兴能与ADI合作，共同迎接下一波5G网络架构带来的重大机遇。Marvell在
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
北京，2019年2月25日——将于2019年4月1-3日在北京国家会议中心举行的EDI CON China
2019(电子设计创新大会)今日宣布了全体会议的主旨演讲嘉宾和完整的会议议程。4月1日(星期一)上午9:30在一层多功能厅A开始的主旨演讲将拉开为期3天的会议和展览的序幕。主旨演讲包括： 射频、微波和高速电路中的功率相关因素 Steve Sandler，Founder and CTO，Picotest 作为工程师，我们的任务是为我们的射频、微波和高速数字电路实现最佳性能。然而，我们经常
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