基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓（GaN）技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。提问可以用主题类别、热门话题或最新帖子搜索。除了提问外，用户还可以在论坛使用帖子中的"分享"链接参看所有之前的提问和反馈。此外，
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GaN 宜普
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100
V的EPC2052氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A
以支持高效功率转换。 要求更高的效率及更高的功率密度的应用,不需要选择小尺寸还是高性能了，因为EPC2052可以同时实现小尺寸及高性能!
EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米(即2.25平方毫米)。EPC2052的占板面积虽然小，它工作在48 V–12 V降压转换器、500
kHz频率下开关
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宜普 EPC2052
EPC公司的管理及技术团队将在中国深圳及上海于3月14至16日举行的各大业界论坛及展会上，与工程师会面并作技术交流。届时，EPC团队将分享如何发挥氮化镓场效应晶体管(GaN FET)及集成电路的最高性能、创新设计，从而为工程师及其客户，打造共创共赢新局面。 AirFuel无线充电大会暨开发者论坛 2018 (中国深圳 - 3月14至16日) 首届AirFuel无线充电大会暨开发者论坛将于3月14至16日在深圳南山凯宾斯基酒店举行。由AirFuel™
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宜普 MOSFET
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
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宜普 GaN
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出支持多模式的无线充电演示套件(EPC9121)，从而简化对基于eGaN® FET与集成电路的高效、多模式无线充电系统进行评估的过程，该系统支持采用任何标准的接收器。
一种解决方案可支持两种标准
无线充电虽然已经可行，但是目前的终端产品都是建基于两种的行业标准，它们分别是无线充电联盟(WPC)的Qi无线充电标准及AirFuel™联盟标准。这两种无线充电标准基于不同的技术。基于感应耦合技术的Qi标准采用低频方式(低于300 kHz)。而Ai
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宜普 EPC9121
宜普电源转换公司(EPC)推出半桥式开发板(EPC9059)，专为大电流、高频的负载点(POL)应用而设，目的是利用氮化镓集成电路(eGaN IC)的优势，缩小功率转换系统的尺寸。该板具有30 V最高器件电压、50 A 最大输出电流。在这应用中，两个30 V 的eGaN IC(EPC2100)并联工作并配备板载驱动器，从而可以实现更高的输出电流。与硅基MOSFET相比，由于氮化镓器件具有卓越的均流能力，因此更适合并联操作。 在12
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宜普 EPC9059
宜普电源转换公司(EPC)增加合共九个教程单元的教学视频系列，扩大它的视频资源以拓展氮化镓技术的知识库，为功率系统设计工程师提供高级技术教程，包括应用范例，教授如何使用氮化镓晶体管及集成电路设计出更高效的功率转换系统。 除了为工程师提供氮化镓晶体管的设计基础及可靠性数据外，本视频系列教授如何把开发板转化为实用的原型。此外，该系列提供氮化镓晶体管在广泛的功率电子应用中的实用范例，包括面向电信及数据通信系统的DC/DC转换，以及关于采用氮化镓器件的无线充电应用的两个视频。 氮化镓(GaN)高级学习视频
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宜普 氮化镓
宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET)系列的最新成员 -- EPC2037。
EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低QG值及采用超小型封装，因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动，因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。
与具备相同的导通阻抗及
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宜普 EPC2037
宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓(GaN)功率晶体管提高效率及功率密度。
现今世界对信息的需求史无前例地快速增长，而社会对通信、计算及下载技术的渴求进一步驱使我们对信息的需求量上升。新兴技术诸如云端运算及物联网的出现，加上全球每分钟估计有高达300小时的录像被上载至YouTube平台，可见要求更多、更快速的信息存取的趨势不会慢下来。这个挑战推动了我们编撰这本实用工程知识手册--《DC/DC转换 -《氮化镓晶体管—高效功率转换
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宜普 DC/DC
宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓((eGaN®)功率晶体管，其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能，因此它在电源转换系统具备高性能优势。
EPC2039用途广泛，其主要应用为需要高频功率转换的应用，包括同步整流、D类音频放大器、高压降压转换器、无线充电及脉冲电源(LiDAR)等应用。新兴的LiDAR应用包括无人驾驶汽车及扩增实
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宜普 EPC2039
宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。在这个基于氮化镓场效应电晶体的系统中，我们把所有会影响D类音频系统的音质的元素减至最少或完全去除。
根据Intersil公司的D2 Audio的共同创办人兼前任CTO Skip Taylor博士所说：「eGaN FET的功率级准确地以高功率复制D类脉宽调制(PWM)信号并具有超高线
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宜普 晶体管 EPC9106
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027)，可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。
EPC2027器件具备450 V额定电压、400 mΩ最高导通电阻(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片，从而可以实现高效散热及易于组装。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普 功率晶体管 EPC9044
宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。
宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势，因此它是功率逆变器的理想晶体管。
「Little
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氮化镓(eGaN®)功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻(RDS(on))并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点(POL)转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广
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