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安全工作区 文章 进入安全工作区技术社区

关于IGBT 安全工作区 你需要了解这两个关键

  • 在 IGBT 的规格书中,可能会看到安全工作区(SOA, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下图所示。这个安全工作区是指什么?图1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作区 (图片来源ROHM)IGBT 的安全工作区(SOA)是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件。实际上,不仅需要在安全工作区内使用IGBT,还需对其所在区域实施温度
  • 关键字: IGBT  安全工作区  SOA  

功率MOSFET安全工作区,真的安全吗?

  • 本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义,详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间工作在线性区的应用中,必须采用实测的安全工作区理由。
  • 关键字: 功率MOSFET  安全工作区  线性区    热电效应  201903  

MOSFET安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在

  • 即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时,任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源,支持从正在工作的系统中插入或移除电路板,从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后,MOSFE
  • 关键字: 安全工作区  MOSFET  LTC4233  热插拔  热插拔控制器  

从安全工作区探讨IGBT的失效机理

  • 摘要:本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极—发射极导通电压Vce(on)及短路电流Isc的关系。 关键词:安全工作区 失效机理  短路电流Tsc 1、  引言   半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作区(Safe Operating Area简称SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中将IGBT的最大直流电流IC和集电极—发射极电
  • 关键字: 安全工作区  失效机理  短路电流Tsc  电源  
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