- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘
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IR 功率MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布针对开关应用，推出两款具有低栅级电荷的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET ，这些开关应用包括开关电源 (SMPS) 、D 类音频系统、高强度气体放电灯 (HID) 照明，以及其它汽车电源转换应用。
AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR为 DC-DC 应用量身定制的首款汽车级 DirectFET® 器件，提供低
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IR 功率MOSFET AUIRF7648M2
- 瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出适用于笔记本电脑及通信设备等产品的存储器或ASIC同步整流DC/DC转换器的RJK0383DPA。该器件集成双类型功率MOSFET，可以实现更高的电源效率。据悉，此器件样品将于在2008年10月在日本开始供应。
RJK0383DPA集成了两种不同类型的双功率MOSFET，构成了一个采用WPAK『注1』（瑞萨封装代码）高热辐射封装的同步整流DC/DC转换器，其面积为5.1×6.1 mm，厚度为0.8 mm（最大）
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瑞萨 转换器 功率MOSFET DC/DC
- 安森美半导体推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。 NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P则是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，两款器件在高于200 mA工作电
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SOT-723 安森美 单片机 封装 功率MOSFET 嵌入式系统 封装
- 摘 要：STR－B5450是日本三肯公司生产的集控制电路、高压驱动器及两只功率开关MOSFET于一体的系列SankenTM组合IC，使用该IC能使荧光灯电子镇流器元件数量减少约40％。并具有预热、点火、调光、自动再启动、开/关与复位及故障/失效保护等功能。工作可靠，最大输出功率达200W。本文介绍了该器件的内部结构、工作原理及典型应用。
关键词：镇流器； 控制驱动； 调光； STR－B5450
分类号：TM571 文献标识：B &
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镇流器控制 驱动 功率MOSFET STR－B5450 模拟IC 电源
功率mosfet介绍
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器，工作于线性范围，大多数用作开关和驱动器，工作于开关状态，耐压从几十伏到上千伏，工作电流可达几安培到几十安培。 [
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