- 我是小七，干货满满。大家不要错过，建议收藏，错过就不一定找得到了，内容仅供参考，图片记得放大，观看。如果有什么错误或者不对，请各位大佬多多指教。今天给大家分享的是：TIP147一、TIP147是什么管？TIP147 是采用单片达林顿配置的硅外延基 PNP 功率晶体管，专为通用放大器和低频开关应用而设计，适用于电源线性和开关应用。TIP147实物图二、TIP147 引脚图TIP147 引脚图TIP147 引脚功能图三、TIP147 CAD 模型1、TIP147电路符号TIP147 符号2、TIP1
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TIP147 PNP 功率晶体管 通用放大器 开关电路
- MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款开发工具包，旨在帮助商业OEM快速、轻松地调整其产品设计，以将基于氮化镓的射频能量源融合到烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统等各种应用之中。商业OEM将固态射频能量作为高效、精确的能源，可使未来几代产品实现全新的性能水平和承受能力。 MACOM的全新射频能量工具包(测试版)现已推出，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而
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MACOM 功率晶体管
- Maxim推出双通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。这些高度集成的器件采用7mm x 7mm封装，是业内最小的、集成了蜂窝基站控制所需的所有模拟至数字(A/D)、数字至模拟(D/A)接口以及逻辑功能的LDMOS偏置
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Maxim 蜂窝基站 功率晶体管
- 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027)，可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。
EPC2027器件具备450 V额定电压、400 mΩ最高导通电阻(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片，从而可以实现高效散热及易于组装。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普 功率晶体管 EPC9044
- 宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。
在EPC2101半桥式元件内，每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ，
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- 意法半导体的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度 (power density) 。采用热效率 (thermally efficient) 极高的微型封装，可用于大输出功率的E级工业电源。
STAC250V2-500E的负载失匹率 (load-mismatch) 为20:1，处于市场最高水平，最大安全功率高达600W。与采用传统陶瓷封装的解决方案相比，0.55x1.35吋STAC® 气室封装 (air-cavity package)
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意法半导体 功率晶体管 STAC250V2-500E
- 宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。
宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势，因此它是功率逆变器的理想晶体管。
「Little
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宜普 功率逆变器 功率晶体管
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。
在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500
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Microsemi 功率晶体管
- 随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来
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- 随着电子技术的不断发展和新型元器件的问世，开关电源以其体积小、重量轻、效率高、对电网电压适应范围...
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功率晶体管 二次击穿 防护
- 按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。
IC Insight预测, 功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元, 而2009年为84亿美元, 表示年均增长率CAGR达12%,并预计未来5年内出货量的CAGR达到14%, 从2009年的371亿个增加到713亿个。
在电池操作的移动电子产品增长以及全球更强调电子
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- 在中国中，电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置，（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。
从应用领域上看，消费电子领域销售额位列第一位，工业控制居于第二，计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%，是功率器件的重要应用市场。同时，凭借笔记本电脑
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MOSFET 功率晶体管 消费电子 IC LDO 液晶电视
- 英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中包括LTE（长期演进）和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合，包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管（分别为170 W和240 W），在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。
基于英飞凌先进的LDMOS （横向
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英飞凌 射频 功率晶体管 放大器
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶体管的最初原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。
恩智浦R
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恩智浦 LDMOS 基站 功率晶体管
功率晶体管介绍
耗散功率在 1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类，包括双极型功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复合晶体管等。通常，功率晶体管是双极型功率晶体管的简称。
制造功率晶体管用的半导体材料多为单晶硅（也有用锗或砷化镓的）。器件的心片通常装在散热良好的金属块上。功率晶体管往往做成功率集成器件，其一个器件的心片上就含有数十个乃至上万个并联的晶体管单元。
功率晶体 [
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