- 功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
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- IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的，完全有这样的底气，EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的，在驱动电压不超过15V时，短路电流典型值是2400A，只要在10us内成功关断短路电流，器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间，驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
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- 韩国唯一一家纯晶圆代工厂启方半导体（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高压BCD（双极-CMOS-DMOS）工艺已经开始量产。 BCD是一种单片集成工艺技术，它将用于模拟信号控制的双极器件、用于数字信号控制的CMOS和用于高压处理的DMOS同时制作在同一个芯片上。这种工艺适用于各种功率半导体产品，具有高电压、高可靠性、低电子干扰等优点。近年来，随着电子设备系统尺寸的缩小和功率效率的提高变得越来越重要，对合适的功率半导体的需求也越来越大，因此对BCD的需求也在增加。启方半导体为工作电
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- 东芝(Toshiba)日前宣布，将在日本石川县建造一个新的12吋(300mm)晶圆制造厂，主要用于生产功率半导体。该厂预计于2024财年开始量产，整体供应的产能将会是目前的2.5倍。 东芝指出，新晶圆厂的建设将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在 2024 财年开始。当第一阶段的生产满载时，东芝的功率半导体产能将是之前的2.5 倍（2021财年）。东芝表示，功率半导体是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。目前汽车电子和工业设备自动化的需求正在扩大，对低压MOSFET（金属氧
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- 功率半导体：市场空间大，细分品类多1.1. 简介：能源转换的核心器件，细分品类众多功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要指能够耐 受高电压或承受大电流的半导体分立器件，主要用于改变电子装置中 电压和频率、直流交流转换等。功率半导体主要起源于 1904 年第一个二极管的诞生，而 1957 年的美国 通用电气公司发表的第一个晶闸管，标志着电子电力技术的诞生； 1970 年代，功率半导体进入快速发展时期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速发展，标志着第二代电子电力器件的诞生。之后 1980
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- 碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势，引领和加速了汽车电动化进程，对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段，汽车产销量、保有量连续6年居世界首位，在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展，极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新，为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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- 2021年9月，英飞凌科技宣布位于奥地利菲拉赫的300 mm薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。这座以“面向未来”为座右铭的芯片工厂，总投资额为16亿欧元（1欧元约为人民币7.5元），是欧洲微电子领域同类中最大规模的项目之一，也是现代化程度最高的半导体器件工厂之一。英飞凌为何非常重视功率半导体的发展？其整体发展思路是什么？
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- 英飞凌科技（Infineon）今日宣布，正式启用其位于奥地利菲拉赫的 12 吋薄晶圆功率半导体芯片厂。这座12吋厂采用当今最高的建筑工艺，大量的使用再生能源与节能设计，一落成就是座零碳排的现代化厂房，同时它也充分结合了自动化与数字化控制的技术，并使用人工智能方案来进行维护，以达成最高的营运效率。 英飞凌的资深员工，将第一片出厂的晶圆递交给执行长为了实现这座高科技半导体厂房，英飞凌共募集了16 亿欧元的投资额，是欧洲微电子领域中最大规模的投资项目之一，也是现代化程度最高的半导体组件工厂之一。英飞凌
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- 近些年，随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增，因此也吸引了产业链相关企业的关注。在产业应用进一步成熟的趋势下，SiC的争夺战正一触即发。碳化硅材料之殇SiC器件成本高的一大原因就是SiC衬底贵，目前，衬底成本大约是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圆生产环节20%，封装测试环节5%。SiC衬底不止贵，生产工艺还复杂，与硅相比，碳化硅很难处理、研磨和锯切，挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、Rohm等供应商购买衬底。SiC器件广泛用于光伏逆变器、工
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- 日经中文网3月10日消息，东芝将在位于日本石川县的主力工厂引进能大量生产纯电动汽车（EV）等使用的功率半导体的制造设备。在去碳化潮流下，纯电动车用半导体需求不断扩大。东芝将投资约250亿日元，将石川工厂的产能提高2成。全球只有部分大型半导体厂商使用该设备来制造功率半导体。 将电力高效转化成动力的功率半导体可以降低纯电动车等的耗电量。
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- 汽车“四化”趋势明确，对半导体需求价值量倍增汽车行业向电动化、智能化、数字化及联网化方向发展，直接带动汽车 含硅量提升。新能源电动汽车的出现意味着传统汽车的核心竞争要素将 被取代，产品价值链被重塑。新能源车中对于电力控制的需求大幅增加，功率器件中特别是
IGBT 是 工业控制及自动化领域的核心元器件，其通过信号指令来调节电路中的 电压、电流等以实现精准调控的目的，保障电子产品、电力设备正常运
行，同时降低电压损耗，使设备节能高效。汽车半导体作为汽车电动化 关键载体之一，需求价值成倍增长，据估算纯电
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- 据济南日报报道，总投资60亿元的富能功率半导体项目预计今年6月建成，年底实现投片生产。据济南市人民政府办公厅发布2020年度市级重点项目名单，富能功率半导体项目规划建设月产10万片的两座8英寸厂及一座月产5万片的12英寸厂，一期总投资金额约人民币60亿元，主要建设月产3万片的8英寸硅基功率元件产能和月产1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件产能，应用领域包括消费、工业、电网以及新能源车等。项目投产后预计年产量48万片，年产值可达36亿元。据此前公开消息，该项目计划2020年底实现量产，2022年满产。
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- 中国，北京，2019年7月16日讯 --全球领先的电路保护、电源控制和传感技术制造商Littelfuse，Inc.（纳斯达克股票代码：LFUS）今日宣布它最近在菲律宾利帕市的一家新的功率半导体组装工厂破土动工。 这将是该公司在菲律宾的第三家制造工厂，它将致力于功率半导体模块的装配和测试操作。“基于收购IXYS和加入到我们产品组合的高性能功率半导体产品，对菲律宾这家最先进的新工厂的投资将进一步扩展我们的功率半导体产品的能力，这是Littelfuse增长战略的关键驱动力。”Littelfuse半导体
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- 从长远来看，由于决定核心竞争力的前段制造能力和关乎企业发展 速度的设计能力对于一家功率半导体企业而言缺一不可，再加上掌握封测环 节一方面可以占据更广阔的利润空间，另一方面可以增强对产品性能的把控、与设计制造环节形成协同效应，因此我们判断从长远来看IDM是功率半导体 厂商的必然选择。
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功率半导体介绍
《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。 [
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