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贡献者：yue411 浏览：1840次 创建时间：2008-04-03
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1906年，世界第一枚电子器件划时代而生。此后百年间，随着晶体管与集成电路的成功开发，人类开始步入速度惊人的芯片时代。
我们知道，能够带来突破性性能与尺寸的新体系结构，需要在更小的体积内放入更多的晶体管数目，需要更高级的芯片制程工艺。
从第一颗处理器到90纳米处理器，乃至65纳米处理器都是如此。英特尔把这种以两年为周期的芯片与微体系结构快速发展步调称为“Tick-tock”战略。当硅制程技术“Tick”与微体系结构“Tock”交替发展到65纳米阶段时，进一步突破遇到了难以逾越的瓶颈。
我们知道，一般的晶体管可分为低电阻层、多晶硅栅极和二氧化硅电介层。其中，二氧化硅电介层在65纳米时代已降低至相当于五层原子的厚度，再进一步缩小则会遭遇电介层的漏电而达到极限。
但是，对业界影响深远的摩尔定律并没有因此而失去效力。经历千万次的试验，英特尔将一种熔沸点和强度都极高且抗腐蚀性的新型金属铪(Hf)运用到芯片处理技术当中，创造出英特尔45纳米高Ｋ金属栅极硅制程技术层，替换二氧化硅电介层。
英特尔45纳米高Ｋ技术能将晶体管间的切换功耗降低近30%，将晶体管切换速度提高20%，而减少栅极漏电10倍以上，源极向漏极漏电5倍以上。这就为芯片带来更低的功耗和更持久的电池使用时间，并拥有更多的晶体管数目以及更小尺寸。
2007年，英特尔发布第一款基于45纳米的四核英特尔至强处理器以及英特尔酷睿2至尊四核处理器，带领世界跨入45纳米全新时代。
难以置信的伟大突破！请继续探索45纳米世界，发现更多惊奇。
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