特许半导体四季度上马32nm工艺 明年转入28nm

　　新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。

　　特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。

　　特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。

　　特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市举行，由该公司CEO谢松辉(Chia Song Hwee)主持，4日还会在上海举办类似的会议。