R8C/1B单片机的Flash编程/擦除挂起功能
图1为编程/擦除挂起的简单示意图，在编程/擦除开始之后，如果发生了某个中断请求，在等待一段挂起延迟之后，CPU转向中断子程序的处理。中断处理子程序执行之后，Flash存储器继续执行编程或擦除过程，直至操作结束。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/96982.htmFlash编程/擦除挂起功能的实现
● EW0模式与EW1模式
CPU改写模式是通过固化在单片机程序存储器中的软件命令对Flash存储器进行编程的形式，适合对单片机进行在应用中编程(IAP)的场合，即能够在不使用Flash编程器，且将单片机安装在电路板的状态下实现对Flash的改写。
CPU改写模式分为擦除/编程0模式(EW0模式)和擦除/编程1模式(EW1模式)。
这两种模式的根本区别在于改写控制程序的执行区域不同。如图2所示，EW0模式中，改写控制程序在Flash存储器以外的区域执行，因此在这种模式下可以改写所有的用户ROM区。EW1模式中，改写控制程序依然存放在用户ROM区的某一个块中，并在此区域执行，因此在这种模式下，除了存有改写控制程序的块以外，其他的用户ROM区都可以被改写。
在执行擦除/编程的过程中，在EW0模式下CPU处于正常运行的状态，而在EW1模式下CPU处于保持状态。
● Flash编程/擦除挂起的设定
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