半导体C-V测量基础
这些测量考虑了与电容相关的串联与并联电阻，以及耗散因子(漏流)。图4给出了这类测量可以测出的主要电路变量。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/96649.htm
z, theta：阻抗与相角
R+jX：电阻与电抗
Cp-Gp：并联电容与电导
Cs-Rs：串联电容与电阻
其中：Z=阻抗
D=耗散因子
θ=相角
R=电阻
X=电抗
G=电导
图4. C-V测量得到的主要电气变量
成功C-V测量的挑战
C-V测试配置的框图虽然看上去非常简单，但是这种测试却具有一定的挑战。一般而言，测试人员在下面几个方面会遇到麻烦：
· 低电容测量（皮法和更小的值）
· C-V测试仪器与圆片器件的连接
· 漏电容（高D）的测量
· 利用硬件和软件采集数据
· 参数提取
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