半导体C-V测量基础
图1中的金属/多晶层是电容的一极，二氧化硅是绝缘层。由于绝缘层下面的衬底是一种半导体材料，因此它本身并不是电容的另一极。实际上，其中的多数载流子是电容的另一极。物理上而言，电容C可以通过下列公式中的变量计算出来：
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/96649.htmC = A (κ/d), 其中
A是电容的面积，
κ是绝缘体的介电常数
d是两极的间距
因此，A 和 κ越大，绝缘体厚度越薄，电容值就越高。通常而言，半导体电容的大小范围从几纳法到几皮法，甚至更小。
进行C-V测量时要在电容的两极加载直流偏压同时利用一个交流信号进行测量(如图1所示)。通常情况下，这类测量使用的交流频率范围从10kHz到10MHz。所加载的偏压作为直流电压扫描驱动MOSCAP结构从累积区进入耗尽区，然后进入反型区(如图2所示)。
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