瑞萨推出高速SRAM*1产品系列

　　瑞萨科技公司(以下简称“瑞萨”)宣布推出面向新一代通信网络内高端路由器和交换机使用的高速SRAM*1产品系列。这些SRAM产品不仅符合QDR联盟*2行业标准要求，还实现了72Mb四倍数据速率II+(QDRTM II+)和双数据速率II+(DDRII+)的业内最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整个器件系列(具有多种速度和配置)将于2009年8月在日本开始陆续进行销售。

　　新产品特性如下：

　　(1) 业内最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版);

　　瑞萨大幅提高了新产品的工作速度，同时还通过利用先进的45nm生产工艺而保持了低压操作。QDRII SRAM产品实现了业内最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM产品也达到了业内最高的工作速度——533 MHz。这些器件可以支持高端路由器与交换机(其支持10G、40G和容量更大的多层通信系统)内的分组查找和包缓冲器应用所需的高速处理。

　　(2) 大量72Mb器件;

　　瑞萨将为3种数据I/O宽度(9、18或36位)和2种突发长度(2或4字)的产品提供支持。此外，瑞萨还提供具有内置式ODT(晶片上终端电阻)功能的产品，极大地降低了高速操作过程中可能发生的信号质量下降。瑞萨丰富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM产品系列使得用户能够选择最符合其系统要求的解决方案。

　　< 产品背景资料 >

　　随着互联网的日益普及，传输速度和发送到通信设备的信息量也在不断增加，并且数据速率现在已经超过了40Gb/s。检查数据终点和管理高端网络设备内的数据包流量的需要不断推动着对具有高速操作功能的大密度存储器需求的增长。并且，数据复杂度也随视频、语音和数据应用而不断增加，从而需要更大的存储容量。

　　目前，瑞萨提供了大量面向工业应用和UNIX*3服务器与工作站内高速缓冲存储器的SRAM、18Mb网络SRAM以及面向通信设备的36Mb DDRII与QDRII SRAM。随着网络设备性能和功能的不断提高，瑞萨利用其设计专长和生产技术为72Mb QDRII与QDRII+ SRAM产品实现了更高的速度和高可靠性，从而满足了通信应用对高速、大容量和大位宽度的需求。

　　< 产品详情 >

　　新产品均提供所有突发长度和位宽度组合，并且标准HSTL(高速晶体管逻辑)接口用于超高速同步SRAM.

　　新产品采用165-引脚塑料FBGA封装，尺寸为15 mm × 17 mm，具有出色的散热特性，适于大密度安装。这些产品符合RoHS指令*4的要求，还提供无铅版本。QDR引脚配置支持将来向高达288Mb的密度无缝移植。并且，采用FBGA封装的产品支持IEEE标准测试存取端口和边界扫描架构(IEEE标准1149.1-1990)，能够在板级模块安装过程中实现交叉连接检查。

　　对于将来该领域的开发，瑞萨制定了长远的发展规划，并致力于开发容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM产品以支持不断变化的用户需求。